陰極發(fā)光設(shè)備（SEM-CL）在光束敏感光電材料（雜化鹵化物鈣
鹵化物鈣鈦礦已成為下一代光電應用(如太陽能電池和發(fā)光二極管)的特殊候選者。鈣鈦礦薄膜在微觀和納米尺度上具有非均質(zhì)性。對納米尺度的理解是開發(fā)和改進這些新型材料的基礎(chǔ)。CL允許在高空間分辨率下探測材料的特性。然而，這些軟半導體對電子束損傷非常敏感，這主要阻礙了CL的使用。
利用脈沖模式掃描電子顯微鏡陰極發(fā)光技術(shù)(PM SEM-CL)對雜化鈣鈦礦薄膜的研究是有用的。這些發(fā)現(xiàn)是由Attolight Allalin設(shè)置實現(xiàn)的。由于電子束的低劑量脈沖特性，通過獲取CL高光譜圖，可以在納米尺度上對雜化鈣鈦礦薄膜的發(fā)射特性的非均質(zhì)性進行成像。這些優(yōu)化的參數(shù)還可以獲得多晶薄膜的時間分辨CL，與光致發(fā)光類似物相比，顯示出明顯更短的載流子動力學，這表明電子束與樣品的相互作用歸因于光束損傷。
圖：空間分辨CL圖對降低光束電流顯出更強大發(fā)射。CW（連續(xù)波）和 PM（脈沖模式）電子束采集
這些發(fā)現(xiàn)代表了開啟CL高光譜測繪和TRCL在更光束敏感的混合鈣鈦礦成分上的應用的有希望的一步。此外，我們預計低劑量下的CL將在解決其他有機和光束敏感半導體的復雜納米尺度方面發(fā)揮重要作用。
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