為了使光電(PV)發電提供世界能源需求的很大一部分，必須降低每瓦特產生的面板成本。低成本、高容量光伏發電的前景是薄膜無機化合物，包括CdTe和Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)。這兩種材料目前占太陽能電池板銷量的近20%，由于與硅相比有以下優勢，這一比例可能會增加:

1、這些材料的直接帶隙意味著與100-400 μm的Si相比，所需的材料厚度大大減少，為2-5 μm。

2、這種減少的厚度導致大大降低了對太陽能吸收器晶體質量的要求，它為更廣泛的可能生產路線打開了大門;降低成本，提高產量。

CdTe/CdS光伏異質結截面的SEM圖像

       陰極發光能夠以其他技術無法比擬的空間分辨率提供這些薄膜PV材料的表征。Attolight系統尤其具有以下優點:

1、晶界和位錯等缺陷可以根據它們的信號強度和CL光譜剖面進行分析。這可以提供有關缺陷的電活動和任何化學分離效應的信息。

2、高度穩定的冷卻階段允許低至10 K的高分辨率掃描，提供有關摻雜劑和缺陷水平的空間分布的信息。此外，可以確定激發態的溫度依賴性，給出這些狀態的活化能。

在CL數據集中，硫在連接處的相互擴散是清楚的。

       局部測量CL發射壽命提供了前所未有的缺陷和成分梯度的表征，載流子壽命是PV中的一個重要因素，它們必須擴散到觸點才能被收集。這一關于光伏材料缺陷、結構和能級的數據組合提供了一個非常全面的分析。