系列三：等離子體刻蝕系統的精準溫控

等離子體刻蝕（干法刻蝕）

在半導體生產中，尤其在生產最先進電子設備所需的復雜電路時，等離子體刻蝕是所需的基本工藝。

等離子體刻蝕又稱干法刻蝕，在此工藝過程中，晶圓暴露在真空刻蝕室的等離子體中，受到等離子體中離子的轟擊，從而可以去除表面未被光刻膠保護的材料。

由于等離子體的溫度會影響刻蝕過程的速度和效率。在半導體生產中，對等離子體進行高精度的溫度控制非常重要。

晶圓的加工級別在微米級和納米級之間，即使溫度只是發生了微小的變化，也會導致蝕刻結構的尺寸和形狀發生顯著變化。

刻蝕系統的溫度控制

為等離子體刻蝕這一敏感工藝，提供專門設計的 Semistat 系列。

基于久經考驗的珀爾帖導熱原理， Semistat 工藝恒溫器可對等離子體刻蝕進行可重復的溫度控制。Semistat 可以對靜電晶圓吸盤（ESC）進行動態溫度控制，是適用于各種等離子體刻蝕工藝的通用 TCU。Semistat 節能、省空間、溫度控制穩定，是完美的 POU 冷卻器。

semistat 工藝恒溫器

開創性的珀爾帖恒溫器：為要求苛刻的工藝，提供快速精準的溫度控制。

用于半導體行業的，?20 到 90 °C 的熱電工藝恒溫器：

? 制冷功率， 從 1.2 到 4.4 kW

? 加熱功率， 從 3 到 12 kW

技術參數：

產品優勢：

?     無需制冷劑

?     體積小，節省寶貴的潔凈室空間

?     導熱液體的消耗量少

?     無需經常維護

?     大幅減少導熱液體的使用量，節省成本

針對應用進行了優化的

高能效的恒溫設備

基于珀爾帖原理的 Semistat ，用于控制等離子刻蝕應用的溫度，在運行過程中會及其節能。

熱電式恒溫器和壓縮機式恒溫器相比較，有以下優勢：

由上述可見，這些優勢提高了等離子刻蝕工藝中熱電恒溫設備的效率，并顯著降低了能耗。

基于實際客戶應用，我們對 Semistat S 2400 恒溫器和競爭對手的恒溫器進行了比較測量。

我們根據測量出的耗電量，確定了各自的成本，并計算出了所節省的電量。

相比之下， Semistat S 2400 可節省 90%的電量。

同時，根據測量的加熱和冷卻速率，確定了升降溫時間，并計算出了所節省的時間。熱電型設備的冷卻和加熱時間（斜率下降和斜率上升時間）也明顯少于用壓縮機型恒溫設備。

相比之下， Semistat S 2400 可節省高達 67% 的冷卻時間，和 81% 的加熱時間。

關注我們！

了解更多半導體工藝的溫度控制