三維激光直寫是利用強度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實施變劑量曝光，顯影后在抗蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓。激光直寫系統的基本工作原理是由計算機控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設計的任意圖形，從而把設計圖形直接轉移到掩模上。

　　三維激光直寫系統的主要由激光器、聲光調制器、投影光刻物鏡、CCD攝像機、顯示器、照明光源、工作臺、調焦裝置、激光干涉儀和控制計算機等部分構成。

　　三維激光直寫的基本工作流程是：用計算機產生設計的微光學元件或待制作的VLSI掩摸結構數據；將數據轉換成直寫系統控制數據，由計算機控制高精度激光束在光刻膠上直接掃描曝光；經顯影和刻蝕將設計圖形傳遞到基片上。

　　三維激光直寫主要功能：

　　小描繪尺寸: 0.7 μm

　　小直寫尺寸: 20 nm

　　5種描繪模式

　　可轉換成自動描繪模式

　　進階 3維 繪畫方式

　　量測/ 校直用照相機系統

　　選擇可能的激光來源

　　可在線上傳送繪畫數據

　　自動基板加載系統

　　多種多樣的繪畫數據輸入格式(DXF,CIF,GDSII,Gerber,STL)

       三維激光直寫是制作衍射光學元件的主要技術之一，可在光刻膠的表面直接寫入多臺階、連續位相浮雕微結構，與二元光學方法相比，工藝簡單，避免了多套掩模之間的套刻對準環節，改善了DOE的加工精度，從而提高DOE的衍射效率。

　　說了這么多關于三維激光直寫的內容，我們也是希望大家能夠加深對于三維激光直寫的認識和了解。當然了我們對于三維激光直寫還是比較了解的，如果說大家有什么不明白的地方也可用來問我們。