氬離子拋光制樣經(jīng)驗(yàn)分享
微納米顆粒 （針對200μm以下樣品）
應(yīng)用范圍：微納米材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析
例 如：鋰電池陽極材料、微納米顆粒
顆粒類的樣品多數(shù)利用掃描電鏡檢測形貌、粒度統(tǒng)計(jì)、能譜并做一些長度測量，但是一旦涉及內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察普通制樣方式很難達(dá)到要求。
| 制樣方式 | 缺點(diǎn) |
|---|---|
| 研缽研磨/刀片壓碎 | 只能看到斷面的情況，而且成功率不高，電鏡觀察需要費(fèi)時尋找 |
| 鑲嵌包埋 | 需要機(jī)械拋光，容易脫落；耗時；需考慮鑲嵌料對樣品影響 |
舉例來講，圖1是客戶要求觀察顆粒表面和斷面形貌，研缽研磨后，結(jié)果并不理想，視野內(nèi)可見大量碎裂顆粒，且斷面情況各異更無法進(jìn)行測量等工作。
圖 1
圖2是用Gatan Ilion II設(shè)備拋光后結(jié)果，可見視野內(nèi)顆粒全部切開，截面平整，易于觀察測量；圖3為局部放大，顆粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)一覽無余。
圖 2
圖 3
圖 4
圖 5
電子元器件
應(yīng)用范圍：各類微元器件
電子元器件由于其越來越微小、越來越復(fù)雜，其失效時很難定位，也很難用普通手段看清其內(nèi)部結(jié)構(gòu)（圖6）。圖中結(jié)果用Ilion II 進(jìn)行處理，局部放大圖片能夠看到幾十個nm結(jié)構(gòu)，后續(xù)進(jìn)行分析帶來極大便利。
圖 6
我們再來看一例（圖7）
圖 7
紅框1局部放大，可見有10層結(jié)構(gòu)
圖 8
紅框2局部放大，一目了然
圖 9
相關(guān)產(chǎn)品
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