KRI 離子源用于離子束拋光機(jī)
離子束拋光適用于大面積、異型、特殊材料等加工對(duì)象的超高精度非接觸式修形及拋光, 精度可達(dá)亞納米級(jí), 被譽(yù)為拋光. 離子束拋光機(jī)的Z核心部件是可聚焦的高能量離子源. 上海伯東某客戶為專業(yè)精密光學(xué)元器件設(shè)備制造商, 主要產(chǎn)品為離子束拋光機(jī)、磁流變拋光機(jī)等, 提供超精密光學(xué)工藝制造研發(fā)服務(wù), 是一家超精密光學(xué)元器件解決方案提供商. 經(jīng)推薦, 該客戶采用上海伯東美國(guó) KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī).
KRI 離子源用于離子束拋光機(jī):
應(yīng)用方向:非接觸式亞納米離子束表面修形
應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體/精密光學(xué)
產(chǎn)品類別:高精密光學(xué)器件
加工指標(biāo):
1. 加工尺寸能力 5-1200mm ;
2. 采用非接觸式加工, 無(wú)邊緣效應(yīng), 不產(chǎn)生亞表面損傷;
3. 亞納米加工精度, 可實(shí)現(xiàn)面型 RMS<3nm 高精度拋光能力;
4. 加工光學(xué)元器件形狀有:平面、球面、非球面、自由曲面、離軸非球面等;
5. 加工光學(xué)元器件材料有:石英玻璃、微晶、超低膨脹玻璃、KDP 晶體、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、紅外材料等.
美國(guó) KRI 考夫曼公司新升級(jí) Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應(yīng)用. 考夫曼離子源通過(guò)控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源在離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行.
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號(hào):
型號(hào) | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽(yáng)極 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 |
KRI 考夫曼離子源其余相關(guān)應(yīng)用:
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上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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