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KRI 射頻離子源 RFICP 系列
- 品牌：美國KRI
- 產地：美洲 美國
- 供應商報價：面議
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伯東企業（上海）有限公司
更新時間：2024-07-17 15:03:36 -
銷售范圍售全國
入駐年限第10年
營業執照已審核
- 同類產品KRI 考夫曼離子源(49件)
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KRI 射頻離子源 RFICP 系列
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術參數:型號
RFICP 40
RFICP 100
RFICP 140
RFICP 220
RFICP 380
Discharge 陽極
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
RF 射頻
離子束流
>100 mA
>350 mA
>600 mA
>800 mA
>1500 mA
離子動能
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
10 cm Φ
14 cm Φ
20 cm Φ
30 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
5-30 sccm
5-30 sccm
10-40 sccm
15-50 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
23.5 cm
24.6 cm
30 cm
39 cm
直徑
13.5 cm
19.1 cm
24.6 cm
41 cm
59 cm
中和器
LFN 2000
射頻離子源 RFICP 系列應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯東離子源典型應用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現離子輔助鍍膜 IBAD 及預清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產
右圖: 在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試, 樣品無崩邊
上海伯東離子源典型應用: 安裝在離子蝕刻機中的 KRI 射頻離子源, 對應用于半導體后端的6寸晶圓進行刻蝕. 右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項ZG. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源ZG總代理.
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