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硅光電二極管陣列 S11299-121

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詳細介紹

詳細參數
元素大小(每1列) 1.175 × 2.0 mm
像元個數 16
封裝 Glass epoxy
封裝類型 With scintillator
閃爍體類型 CsI(Tl)
冷卻方式 Non-cooled
暗電流 (最大值) 30 pA
上升時間 (典型值.) 6.5 μs
結電容(典型值) 40 pF
測量條件 Ta=25 ℃, per element

外形尺寸(單位:mm)
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Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Si photodiode / Application circuit examples [129 KB/PDF]

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