IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統：

NIE-4000  獨立式 IBE 刻蝕系統

NIE-3500 緊湊型獨立式 IBE 刻蝕系統

NIR-4000 獨立式 IBE / RIE 雙刻蝕系統

NIE-3000 臺式 IBE 刻蝕系統

NANO-MASTER那諾-馬斯特的IBM離子銑系統或IBE離子束刻蝕系統具有很強的適應性，可根據不同的應用而按不同的配置進行建構。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應用。用于離子銑系統的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉、水冷和背氦冷卻。
 
NANO-MASTER那諾-馬斯特技術已經展示了IBM離子銑系統或IBE離子束刻蝕系統可以把基片溫度保持在50°C以內的能力。通過傾斜和旋轉，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對側壁輪廓和徑向均勻度的控制。
 
不同的選配項可以用于不同的網格配置以及中和器。濺射選配項可以支持對新刻蝕金屬表面的涂覆，以防氧化。此外，還可以選配單晶圓自動上下片功能。該系列IBM離子銑系統或IBE離子束刻蝕系統可以配置RF ICP離子源，升級為RIBE反應離子束刻蝕系統。

NANO-MASTER那諾-馬斯特的IBM離子銑系統或IBE離子束刻蝕系統的型號包含NIE-3000型的臺式系統，NIE-3500型的緊湊型立柜式系統，可支持樣品臺的傾斜和冷卻，NIE-4000型的立柜式系統，可支持IBE和RIBE的快速刻蝕。

特點：

** 優化的14”立方的電拋光不銹鋼腔體
** 水冷±90°自動傾斜旋轉基片夾具
** 帶不銹鋼氣體管路及氣動截止閥的MFC
** 直流離子源1cm-16cm
** RF ICP離子源最 大到16cm
** 6”基片的刻蝕均勻度±1.2%
** 其它任何材質的襯底刻蝕
** 能夠控制基片溫度在50°C以內
** 26”x44”占地面積的不銹鋼柜體，非常適用于百級超凈間
** 基于計算機的全自動工藝控制，菜單驅動
** LabVIEW友好用戶界面
** EMO和安全互鎖

選配：

** 光譜終點監測系統
** 背氦冷卻
** 21”立方的電拋光不銹鋼腔體
** 單片自動及Cassette-to-Cassette自動
** 1200L/Sec渦輪分子泵
** 冷泵配置
** 增加MFC用于反應氣體實現RIBE
** 柵格式RFICP離子源
** 中空陰極或燈絲中和器
** 濺射源用于鈍化層沉積

應用：

** III-V族光學元件
** 激光光柵
** 高深寬比的光子晶體刻蝕
** SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
** 帶斜坡的光柵刻蝕