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光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner) M-100

品牌：深圳科時達
型號： M-100
產地：亞洲韓國
供應商報價：面議

深圳市科時達電子科技有限公司更新時間：2025-04-21 06:35:07

銷售范圍售全國

入駐年限第4年

營業執照已審核

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產品特點

原產國: 韓國，唯一能做到圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻機，高性價比
型號：KCMA-100；
又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統，光刻機，紫外曝光機等；
ECOPIA為全球領先的半導體設備供應商，多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上Z早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力；并且其設備被眾多著名企業、研發中心、研究所和高校所采用；以優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。
感謝南開大學，中科院半導體所,中科院長春應化所，中科院物理所，浙江師范大學使用此設備做課題研究！！
此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比Z高的型號，達到歐美品牌的對準精度，CCD顯示屏對準更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。整機效果皮實耐用，正常使用3年內不會出問題！！
目前，上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產，證明其品質達到LED產業標準要求！！而且已經成功提供圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻工藝設備.

詳細介紹

技術參數：
- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；
- 光束均勻性：<±3%；
- 曝光時間可調范圍：0.1 to 999.9秒；
- 對準精度：0.6-1微米
- 分辨率：1微米；
- 光束輸出強度：15-25mW/cm2；

	項目	技術規格
曝光系統(Exposure System) MDA-400M型	光源功率	350W UV Exposure Light source with Power supply
	分辨率	- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um
	最大光束尺寸	4.25×4.25 inch
	光束均勻性	≤ ±3% (4inch standard)
	光束強度	15~20mW/cm2 (365nm Intensity)
	曝光時間可調整	0.1 to 999.9 sec
對準系統(Alignment System)	對準精度	1um
	對準間隙	手動調節(數字顯示)
	光刻模式	真空, 硬接觸, 軟接觸，漸進（Proximity）
	卡盤水平調節	楔形錯誤補償Wedge Error Compensation
	真空卡盤移動	X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
	Z向移動范圍	10mm
	接近調整步幅	1um
樣品(Sample)	基底 Substrate	2, 3, 4 inch
樣品(Sample)	掩模板尺寸	4 and 5 inch
Utilities	真空 Vacuum	< -200 mbar (系統包含真空泵)
	壓縮空氣 CDA	> 5Kg/cm2
	氮氣 N2	>3Kg/cm2
	電源 Electricity	220V, 15A, 1Phase
	顯微鏡及顯示器 CCD and Monitor	Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

主要特點：
- 光源強度可控；
- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；
- 系統控制：手動、半自動和全自動控制；
- 曝光模式：真空接觸模式(接觸力可調),Proximity接近模式, 投影模式；
- 真空吸盤范圍可調；
- 專利技術：可雙面對準，可雙面光刻，具有IR和CCD模式
- 兩個CCD顯微鏡系統，最大放大1000倍，顯示屏直接調節，比傳統目鏡對準更方便快捷，易于操作。
- 特殊的基底卡盤可定做；
- 具有楔形補償功能；