二次電子像分辨率 0.8 nm（加速電壓 15 kV），1.0 nm（加速電壓 1 kV ）

分析時 3.0 nm (加速電壓 15 kV, WD 8 mm, 探針電流 5 nA ) 

倍率 Direct magnification:  x25 to 1,000,000（120 x 90 mm）

Display magnification:  x75 to 3,000,000（1,280 x 960 pixels） 

加速電壓 0.1 ～ 30 kV 

探針電流 數 pA ～ 200 nA 

電子槍 浸沒式肖特基場發射電子槍 

透鏡系統 聚光鏡（CL）、  最 佳光闌角控制鏡（ACL）、  半浸沒式物鏡（OL） 

樣品臺 全對中測角樣品臺、5軸馬達驅動 

電子檢測器系列 高位檢測器、　r‐過濾器　內置、  低位檢測器 

自動功能 自動聚焦、自動消象散、自動亮度/襯度調節 

圖像觀察用

液晶顯示器 屏幕尺寸 23英寸寬屏

 分辨率　1,920 × 1,080像素 

抽真空系統 電子槍室／中間室　SIP 離子泵

樣品室　TMP 分子泵 

       簡介： 

       電子束曝光技術（Electron Beam Lithography）指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸應用。 光刻技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短，光刻能夠達到的精度越高。根據德布羅意的物質波理論， 電子是一種波長極短的波。這樣，電子束曝光的精度可以達到納米量級，從而為制作納米線提供了很有用的工具。電子束曝光技術在半導體工業中被廣泛使用于研究下一代超大規模集成電路。

圖形發生器及PC機（中科院電工所 DY-2000A）

       電子束曝光的設備實現電子束曝光技術有專門的儀器—電子束曝光機。也可以利用掃描電子顯微鏡作為平臺，配置圖形發生器軟/ 硬件和工作站，按照提前設計好的圖形，通過控制掃描電子顯微鏡的掃描線圈，使電子束按照一定順序在光刻膠上完成曝光動作。

       日本電子（JEOL）JSM系列熱場發射掃描電鏡在EBL技術應用中的優勢： 

       1.浸沒式肖特基場發射電子槍，壽命長，Z大束流可達500nA。 

       2.束流穩定度高。 

       3.ACL（Z優角孔徑控制鏡），可在大束流下已經保持小電子束斑直徑。 這三者結合，在保證刻蝕精度和刻蝕尺度的情況下，實現了GX率。

蔡司場發射掃描電子顯微鏡主要優勢有：靈活的探測，4步工作流程，的分析性能

將的分析性能與場發射掃描技術相結合，利用成熟的 Gemini 電子光學元件。多種探測器可選：用于顆粒、表面或者納米結構成像。Sigma 半自動的4步工作流程節省大量的時間：設置成像與分析步驟，提效率。

Sigma 300 性價比高。Sigma 500 裝配有的背散射幾何探測器，可快速方便地實現基礎分析。任何時間，任何樣品均可獲得可重復的分析結果。

蔡司場發射掃描電子顯微鏡是基于成熟的 Gemini 技術

Gemini 鏡頭的設計結合考慮了電場與磁場對光學性能的影響，并將場對樣品的影響降至更低。這使得即使對磁性樣品成像也能獲得出色的效果。

Gemini in-lens 的探測確保了信號探測的效率，通過二次檢測(SE)和背散射(BSE)元件同時減少成像時間。

Gemini 電子束加速器技術確保了小的探測器尺寸和高的信噪比。

本文有蔡司顯微鏡廠家小編Pancy整理，更多關于蔡司場發射掃描電子顯微鏡相關的咨詢