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- sdlink123 2016-12-02 02:18:17
- sem 有冷場發射的和熱場發射的,還有環掃。場發射的分辨率較高,達到1nm 環掃達3¬4nm,樣品室比較大,景深大,可做斷口和有污染的樣品,電子束流達,可信度高。 還有什么不懂的的話,可以和我交流,大家共同進步。
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- 場發射掃描電鏡基本構造
一、電子源:
也稱電子槍,產生連續不斷的穩定的電子流。普通掃描電鏡的電子槍由陰極(燈絲)、柵極和陽極組成。陰極采用能加熱的鎢絲,柵極圍在陰極周圍。被加熱了的鎢絲釋放出電子,并在陽極和陰極之間施加高壓,形成加速電場,從而使電子得到能量——高速飛向(在高真空鏡筒中)樣品。而場發射電子槍與普通鎢絲電子槍有所不同,陰極呈桿狀,在它的一端有個極鋒利的尖點(直徑小于100nm),尖 端的電場極強,電子直接依靠“隧道”穿過勢壘離開陰極,由加速電壓加速產生高速電子流飛向樣品。一般來說,掃描電鏡加速電壓通常為1——30kV。
二、電子透鏡:
將從電子槍發射出來的電子會聚成直徑最小為1——5nm電子束。
三、掃描系統:
使電子束作光柵掃描運動。
- 場發射掃描電鏡和環境掃描電鏡的區別。
- 場發射掃描電鏡的性能特點
一、場發射掃描電鏡分辨率高
在場發射掃描電鏡中,人們最感興趣的信號是二次電子和背散射電子,這兩種信號的發射強度隨著樣品表面的形貌和化學成分而變化。二次電子產區限于入射電子束射人樣品的附近區域,從而獲得相當高的形貌分辨率,場發射掃描電鏡(FESEM)的圖像分辨率已經優于1nm,為納米和亞微米尺度的研究提供了極大的便利。這類電鏡屬于場發射掃描電鏡的高端產品。
二、場發射掃描電鏡放大倍率寬
放大倍率與分辨率密切相關,為了獲得高分辨率圖像,必須使用高放大倍率。光鏡放大倍率有限,最 高到1500倍,透射電鏡放大倍率可以高達100萬倍、掃描電鏡放大倍率范圍可以從幾倍至幾十萬倍,三種顯微鏡的放大倍率成為一個系列。在掃描電鏡中,利用低倍觀察樣品的全貌,利用高倍研究樣品的微觀細節。操作時放大倍率連續可調,使用非常方便。低倍圖像有光鏡圖像的特點,掃描電鏡圖像比較直觀,容易解釋。高倍圖像可以與相應的透射電鏡圖像相比對。
三、場發射掃描電鏡三維立體效果好
光鏡和透射電鏡圖像景深小,只能觀察樣品某個平面,在深度方向上是模糊的。掃描電鏡圖像景深大,有的電鏡在電子光學系統上經過特殊設計,可以提供幾十毫米的景深范圍,即一張場發射掃描電鏡像不僅在X,Y兩個方向上的細節清晰,而且在圖像深度方向也很清楚。一幅兩維圖像,可以提供三維信息,使人們獲得更多的微觀信息量,適用于表面粗糙樣品的觀察,例如:金屬材料斷口、顆粒樣品的三維形態分析。利用掃描電鏡樣品臺的同軸心傾斜,可以獲得樣品的立體圖像對(Stereo pairs),經合成后,變成立體圖像,使用圖像分析軟件可以準確測量深度方向的數據,這是掃描電鏡獨特的性能。
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