在烴類反應(yīng)中，烴被還原為碳單質(zhì)沉積在催化劑表面叫積炭，由于積炭，導(dǎo)致催化劑活性衰減。因此研究積炭的動(dòng)力學(xué)和反應(yīng)機(jī)理，對(duì)于減少積炭的發(fā)生，延長催化劑壽命具有重要意義，對(duì)于減少積炭的發(fā)生，延長催化劑壽命具有重要意義。

對(duì)于單晶表面積碳機(jī)理的研究，已經(jīng)提出了有關(guān)模型。但對(duì)實(shí)用催化劑來說，由于載體的作用使金屬表面結(jié)構(gòu)和積炭關(guān)系更為復(fù)雜。

       TPO是研究催化劑積炭與反應(yīng)性能  關(guān)聯(lián)的一種較靈敏的方法，利用不同形態(tài)碳有不同氧化程度的特性，采用程序升溫氧化法，用氧氣以一定流速通過樣品，用熱導(dǎo)池檢測(cè)器對(duì)不同碳物種氧化后生成的二氧化碳?xì)怏w譜圖進(jìn)行測(cè)量，可以對(duì)表面積碳進(jìn)行定性和定量分析。

Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE , 提供微米級(jí)刻蝕 , 滿足所有材料的刻蝕 , 即使對(duì)磁性材料 , 金銅鎳銀鉑等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料 , 這些難刻蝕的材料也能進(jìn)行微米級(jí)刻蝕 .

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 組成主要包含真空刻蝕腔體 , 樣品臺(tái) , 離子源等 .

其配置如下 ：

一. 真空腔體

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 的真空刻蝕腔體配置的是德國 Pfeiffer 分子泵 .

Pfeiffer 分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S , 轉(zhuǎn)速高 90,000 rpm , 極限真空 1E-11 mbar , 能滿足各種各樣真空度要求 .

伯東是 Pfeiffer Vacuum 德國普發(fā)真空產(chǎn)品授權(quán)代理商 , 銷售維修普發(fā) Pfeiffer 真空產(chǎn)品已超過 20 年 .

二. 離子源

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 配置的美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 離子源 .

可選的離子源包括 ：

射頻離子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40

考夫曼離子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10

霍爾離子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 線性霍爾離子源 eH Linear

伯東公司是美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源亞洲總代理 .

三. 樣品臺(tái)

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 的樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋轉(zhuǎn) .

其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各種尺寸 .

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 優(yōu)勢(shì) :

伯東離子刻蝕機(jī)集好設(shè)備于一身 , 其性能也是優(yōu)越于市面上絕大部分離子刻蝕機(jī) .

1. 刻蝕材料范圍廣, 提供微米級(jí)刻蝕 , 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)黃金 Au , 鉑 Pt , 合金等金屬及半導(dǎo)體材料也能提供優(yōu)質(zhì)蝕刻

2. 均勻性高 , 高達(dá) ≤±5%

3. 硅片刻蝕率可達(dá) 20 nm/min

4. 樣品臺(tái)冷卻方式多 , 可選直接冷卻 , 間接冷卻

5. 樣品臺(tái)可 0-90 度旋轉(zhuǎn)

伯東離子蝕刻機(jī) IBE 包含小型離子蝕刻用于研究分析和大型離子蝕刻系統(tǒng)用于生產(chǎn)制造 , 已應(yīng)用于半導(dǎo)體器件 , 集成電路制造 , 薄膜電路 , 印刷電路 , 手機(jī)背板鍍膜 , 手機(jī)廣角鏡頭鍍膜等 .

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 可選型號(hào)有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE