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2025-02-28 15:00:09等離子切割機集塵設備: 等離子切割機集塵設備是一種專門用于收集等離子切割過程中產生的煙塵和有害氣體的設備。它通過高效的過濾系統，能夠有效去除切割時產生的微小顆粒和有害氣體，保持工作環境的清潔與安全。該設備具有結構緊湊、操作簡便、除塵效率高等特點，廣泛應用于金屬加工、機械制造等行業。使用等離子切割機集塵設備，不僅能保護操作人員的身體健康，還能延長設備的使用壽命，提高生產效率。

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等離子切割機集塵設備-守護綠色環境

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 濟南華信環保科技有限公司 21
2025-02-28
等離子切割機集塵設備

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等離子切割機集塵設備問答

2022-04-29 10:48:42低壓等離子設備的多面應用: 低壓等離子體提供了非常多的表面改性方法。對臟污組件進行精細清洗、對塑料件進行等離子活化、對 PTFE、硅進行蝕刻，以及對具有PTFE 類涂層的塑料件進行涂覆，這些是其部分應用用途。就此而言，低壓等離子體可應用于各種不同的領域，在這些領域中對材料進行鍵合或者有針對性地改變表面特性對其來說非常重要。低壓等離子設備的應用材料清洗：等離子體技術可為所有類型的污染物、所有基材和所有后續處理提供解決方案。此外，還能分解由分子構成的殘留污染物。材料活化：表面具有良好的潤濕性，是確保在涂漆、粘接、印刷或者鍵合時與結合配偶體粘附的前提條件。材料蝕刻：等離子體技術可用于各向異性和各向同性蝕刻。通過化學蝕刻進行各向同性蝕刻，通過物理蝕刻進行各向異性蝕刻。材料涂覆：使用低壓等離子體，可以改良具有不同涂層的工件。為此，會將氣態和液態原材料輸送到真空腔室中。 Diener同時還是低壓等離子設備、等離子體高頻發生器和常壓等離子體生產領域的國際市場佼佼者，diener技術極其成熟，而且取得了巨大的成功，從而保證了持續性擴張。爾迪儀器代理Diener等離子設備，等離子清洗機，有需要可聯系我司。爾迪儀器創建于2013年，是一家從事儀器設備銷售、技術服務與工藝開發的創新公司。總部辦公地點位于上海，在北京、深圳、重慶、合肥等地設有辦事處。通過多年穩步發展，急客戶之所急，想客戶之所想，應客戶之所需，行客戶之未行，12小時內響應，24小時內上門，形成售前專業全面、售中細致嚴謹、售后周到快捷的完整服務體系。

2021-11-30 09:41:21什么是低溫等離子設備？: 冰升溫至0℃會變成水，如繼續使溫度升至100℃，那么水就會沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質的存在狀態一般會呈現出固態→液態→氣態三種物態的轉化過程，我們把這三種基本形態稱為物質的三態。那么對于氣態物質，溫度升至幾千度時，將會有什么新變化呢? 由于物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產生電離，這樣物質就變成由自由運動并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態）。我們把物質的這種存在狀態稱為物質的第四態，即等離子體(plasma)。因為電離過程中正離子和電子總是成對出現，所以等離子體中正離子和電子的總數大致相等，總體來看為準電中性。反過來，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據印度天體物理學家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計算，宇宙中的99.9%的物質處于等離子體狀態。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡便高效，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數值，其密度為106（單位：個／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個數量級。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體108-109K（1-10億度）。溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領域中常用的溫度單位，1eV=11600K。通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團)等三種粒子。設它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是100%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過不產生熱效應的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動噴射式放電來生成。大氣壓下的輝光放電技術目前也已成為世界各國的研究熱點。可產生大氣壓非平衡態等離子體的機理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運特性的研究也剛剛起步，現已形成新的研究熱點。 http://www.verdegroup.cn/ 更多詳細資料，可聯系上海爾迪儀器科技有限公司，撥打電話021-62211270！021-62211270！上海爾迪儀器科技有限公司是一家從事儀器設備銷售、技術服務與工藝開發的創新公司，為您提供一站式采購服務。

2021-11-16 17:32:33等離子設備：什么是低溫等離子體？: 冰升溫至0℃會變成水，如繼續使溫度升至100℃，那么水就會沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質的存在狀態一般會呈現出固態→液態→氣態三種物態的轉化過程，我們把這三種基本形態稱為物質的三態。那么對于氣態物質，溫度升至幾千度時，將會有什么新變化呢? 由于物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產生電離，這樣物質就變成由自由運動并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態）。我們把物質的這種存在狀態稱為物質的第四態，即等離子體(plasma)。因為電離過程中正離子和電子總是成對出現，所以等離子體中正離子和電子的總數大致相等，總體來看為準電中性。反過來，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據印度天體物理學家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計算，宇宙中的99.9%的物質處于等離子體狀態。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡便GX，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數值，其密度為106（單位：個／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個數量級。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體的108-109K（1-10億度）。溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領域中常用的溫度單位，1eV=11600K。通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團)等三種粒子。設它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是1**%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過不產生熱效應的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動噴射式放電來生成。大氣壓下的輝光放電技術目前也已成為世界各國的研究熱點。可產生大氣壓非平衡態等離子體的機理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運特性的研究也剛剛起步，現已形成新的研究熱點。本文轉載自上海爾迪儀器科技有限公司

2023-03-14 12:04:54等離子去膠機（Plasma Cleaner）: 等離子去膠機（Plasma Cleaner）為何要去除光刻膠？在現代半導體生產過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉移和保護層的功能，通過去膠工藝進行完全清除。光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環節，光刻膠是否徹底去除干凈、對樣片是否有造成損傷，都會直接影響后續集成電路芯片制造工藝效果。半導體光刻膠去除工藝有哪些？半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據去膠介質的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠徹底且速度快，是現有去膠工藝中zui好的方式。一、等離子去膠機簡述：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，使有機聚合物被氧化成水蒸汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者剝離。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。當然我們需要注意的是，這里并不是說氧等離子去膠工藝100%好于濕法去膠，同時也不是所有的光刻膠都適用于氧等離子去膠，以下幾種情形我們需要注意：① 部分穩定性極高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應氣體，有時候我們也需要其他氣體參與；② 涂膠后形成類非晶態二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構成并不是單純的碳氫氧，所以是無法使用氧等離子去膠機來實現去膠；③ 當我們的樣品中有其他需要保留的結構層本身就是有機聚合物構成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會在氧等離子下發生損傷；④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結構層，氧等離子去膠過程，這些材料也會被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料；市面上常見氧等離子去膠機按照頻率可分為微波等離子去膠機和射頻等離子去膠機兩種，微波等離子去膠機的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對襯底的刻蝕效應更小，也意味著去膠過程中對襯底無損傷，而射頻等離子去膠機其工作原理與刻蝕機相似，結構上更加簡單。因此，在光電器件的加工中，去膠機的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機。二、等離子清洗去膠機的工作原理：氧氣是干式等離子體脫膠技術中的首要腐蝕氣體。它在真空等離子體脫膠機反應室內高頻和微波能的作用下，電離產生氧離子、自由氧原子O*、氧分子和電子混合的等離子體，其間氧化能力強的自由氧原子（約10-20%）在高頻電壓作用下與光刻膠膜發生反應：O2→O*+O*，CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。反應后產生的CO2和H2O然后被抽走。三、等離子去膠機的優勢：1、等離子清洗機的加工過程易于控制、可重復且易于自動化；使用等離子掃膠機可以使得清洗效率獲得更大的提高。整個清洗工藝流程幾分鐘內即可完成，因此具有產率高的特點2、等離子掃膠機清洗對象經等離子清洗之后是干燥的，不需要再經干燥處理即可送往下一道工序，可以提高整個工藝流水線的處理效率；3、等離子掃膠機使得用戶可以遠離有害溶劑對人體的傷害，同時也避免了濕法清洗中容易洗壞清洗對象的問題；4、避免使用ODS有害溶劑，這樣清洗后不會產生有害污染物，因此這種清洗方法屬于環保的綠色清洗方法；5、等離子去膠機采用無線電波范圍的高頻產生的等離子體與激光等直射光線不同，等離子體的方向性不強，這使得它可以深入到物體的微細孔眼和凹陷的內部完成清洗任務，因此不需要過多考慮被清洗物體的形狀；6、等離子去膠機在完成清洗去污的同時，還可以改良材料本身的表面性能，如提高表面的潤濕性能、改良膜的黏著力等，這在許多應用中都是非常重要的。四、等離子去膠的主要影響因素：頻率選擇：頻率越高，氧越易電離形成等離子體。頻率太高，以至電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子碰撞幾率反而減少，使電離率降低。一般常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。功率影響：對于一定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到一定值，反應所能消耗的活性離子達到飽和，功率再大，去膠速度則無明顯增加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據工藝需要調節功率。真空度的選擇：適當提高真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場獲得的能量就大，有利電離。另外當氧氣流量一定時，真空度越高，則氧的相對比例就大，產生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。氧氣流量的影響：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加快；但流量太大，則離子的復合幾率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而下降。若反應室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也增加，其中尚沒參加反應的活性粒子抽出量也隨之增加，因此流量增加對去膠速率的影響也就不甚明顯。五、等離子去膠機的應用：1、光刻膠的去除、剝離或灰化2、SU-8的去除/ 犧牲層的去除3、有機高分子聚合物的去除4、等離子去除殘膠/去浮渣/打底膜5、失效分析中的扁平化處理6、表面沾污清除和內腐蝕（深腐蝕）應用7、清洗微電子元件，電路板上的鉆孔或銅線框架8、剝離金屬化工藝前去除浮渣9、提高黏附性，消除鍵合問題10、塑料的表面改型：O2處理以改進涂覆性能11、產生親水或疏水表面