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2025-01-21 09:33:29眼科影像技術
眼科影像技術是一種應用于眼科疾病診斷與治療的醫學影像技術。它利用超聲波、光學相干斷層成像(OCT)、激光掃描等多種成像原理,對眼部結構進行高精度、無創或微創的成像。這些技術能夠幫助醫生直觀、清晰地觀察到眼球各層組織的細微結構和病變情況,如視網膜、角膜、晶狀體等部位的異常,為眼科疾病的早期發現、病情評估及治療方案制定提供重要依據。眼科影像技術具有操作簡便、成像速度快、診斷準確率高等優點,在現代眼科醫療中發揮著不可或缺的作用。

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2022-09-01 15:11:11時間和測量技術不停步----- RGM手表公司影像測量系統案
 RGM手表公司是由美國手表制造商羅蘭·墨菲創立的。他的職業生涯和對鐘表(計時設備的藝術或科學)的興趣始于十幾歲時在一家鐘表公司做兼職工作時。后來,他進入了鮑曼制表技術學校,1986年他被WOSTEP(瑞士制表師培訓和教育計劃)錄取。完成WOSTEP后,他在漢密爾頓手表公司的產品開發工作,直到他創建了RGM手表。RGM手表銷售是在個人一對一的基礎上進行的。參觀該公司的客戶和潛在客戶經常會受到羅蘭?墨菲本人的歡迎。他在談到客戶經常要求的定制設計功能時,分享了自己對經典手表設計、創新和工藝的熱情。RGM擁有一支11人的團隊,每年生產“幾百塊”手表,根據設計和材料的不同,手表的價格從3500美元到9.5萬美元不等。 進入RGM工廠,您會立即被多個經典的鐘表匠長椅和一些古董玫瑰發動機車床包圍。這些百年的車床可以生產復雜和華麗的金屬圖案使用切削雕刻技術。RGM表的這種水平的裝飾細節對客戶是非常誘惑的。 在開始時,由于缺乏合適的金屬加工機械來生產非常小的零件,也沒有精密的非接觸測量手段,RGM產品的開發往往非常緩慢。瑞士的公司有這些設備,但對與一家沒有經驗的初創公司合作沒有特別的興趣——尤其是這樣一家來自美國的公司。憑借進取的決心,在當地一家機械修理店和一批二手金屬加工機械的幫助下,墨菲于2007年推出了Caliber 801機械運動系統。“在我們能夠依賴可靠準確的零部件之前,我們會制造小于名義尺寸孔的零件,然后制表師會修正夾具鏜床上的孔……這是一個非常耗時的過程……” 在一臺老式的光學比較儀上對Caliber 801的小零件進行檢查和測量。這樣的檢查需要花費相當多的時間來定位和測量,并且不是非常自動化,但對于處理最初幾個低等級的系列手表零組件已經足夠了。今天,有七個版本的Caliber 801,需要對一系列復雜的零組件進行測量。這時,使組成零件始終精確就變得至關重要了。這意味著制表師在組裝過程中通過使小孔變大來單獨制造太耗費時間。墨菲解釋說。那么他們是如何解決生產和檢測的問題的呢? 2016年6月,RGM購買了QVI?StarLite150影像測量系統,用于完成之前由光學投影儀測量的尺寸和檢查任務。“StarLite 150很快就展示了優勢所在,這個系統可以在不需要操作人員干預的情況下持續測量小而復雜的手表部件,”微機械設計總監Benoit Barbe說。近年來,生產和機型需求增加,StarLite 150通過其與公司的3D CAD系統和數控銑床的兼容性,已經成為開發過程中不可或缺的檢測手段的一部分。一旦CAD模型完成,它可以下載到影像測量系統,在幾秒鐘內完成測量。“我們對測量結果的準確性有很高的信心,而在使用光學比較儀時是存有疑慮的,”Barbe評論道。 “我們對StarLite 150測量系統了解得越多,我們的工作效率就越高。”StarLite150特別受到RGM制造團隊贊賞的一個特點是它的VectorLightTMLED可編程環形燈。Barbe說:“高亮度的光源使得在兩個盲孔之間檢查尺寸變得非常快速和簡單“。”定制手表功能的需求越來越大,需要獨特的,復雜的設計與數控機床生產運行的數量越多。“我們現在定期測量和檢查定制的微型機蝕刻,用小到0.02毫米的立銑刀。用了StarLite以后,測量變得從來沒有這么簡單,也沒有這么準確。
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2021-07-24 18:14:35眼科相關名詞解釋
(一)視力:即視覺分辨力,是眼睛所能夠分辨的外界兩個物點間最小距離的能力。視力是隨著屈光系統和視網膜發育逐漸發育成熟的,0~6歲是兒童視力發育的關鍵期,新生兒出生僅有光感,1歲視力一般可達0.2,2歲視力一般可達0.4以上,3歲視力一般可達0.5以上,4歲視力一般可達0.6以上,5歲及以上視力一般可達0.8以上。(二)裸眼視力:又稱未矯正視力,指未經任何光學鏡片矯正所測得的視力,包括裸眼遠視力和裸眼近視力。(三)正視化過程:兒童眼球和視力是逐步發育成熟的,新生兒出生時,眼睛發育未成熟,處于遠視狀態,隨著生長發育,眼球逐漸增長,眼遠視屈光度數逐漸趨向正視,稱之為“正視化過程”。3歲前生理屈光度為+3.00D,4~5歲生理屈光度為+1.50D~+2.00D,6~7歲生理屈光度為+1.00D~+1.50D。(四)遠視儲備量:新生兒的眼球較小,眼軸較短,此時雙眼處于遠視狀態,這是生理性遠視,稱之為“遠視儲備量”。隨著兒童生長發育,眼球逐漸長大,眼軸逐漸變長,遠視度數逐漸降低而趨于正視。遠視儲備量不足指裸眼視力正常,散瞳驗光后屈光狀態雖未達到近視標準但遠視度數低于相應年齡段生理值范圍。如4~5歲的兒童生理屈光度為150~200度遠視,則有150~200度的遠視儲備量,如果此年齡段兒童的生理屈光度只有50度遠視,意味著其遠視儲備量消耗過多,有可能較早出現近視。(五)屈光度:人眼對光線的曲折能力,就是眼睛的屈光度,一般用“D”表示。(六)屈光不正:當眼處于非調節狀態(靜息狀態)時,外界的平行光線經眼的屈光系統后,不能在視網膜黃斑zhongxin凹聚焦,因此無法產生清晰的成像,稱為屈光不正,包括近視、遠視、散光和屈光參差等。(七)斜視:是指一眼注視時,另一眼視軸偏離的異常眼位。斜視是與視覺發育、解剖發育、雙眼視覺功能和眼球運動功能密切相關的一組疾病。斜視患病率約為3%,其中出生后6個月內先天性內斜視患病率約為1%~2%,人群中先天性內斜視患病率為0.1%。斜視除了影響美觀外,還會導致弱視及雙眼單視功能不同程度的喪失。早期zhiliao斜視可以在矯正眼位、恢復外觀的基礎上,促進視力發育和雙眼視覺功能的建立。(八)弱視:視覺發育期內由于單眼斜視、屈光參差、高度屈光不正以及形覺剝奪等異常視覺經驗引起的單眼或雙眼zuijia矯正視力低于相應年齡正常兒童,且眼部檢查無器質性病變,稱為弱視。分為屈光不正性弱視、屈光參差性弱視、斜視性弱視、形覺剝奪性弱視等。根據普查結果確定年齡在3~5歲兒童視力的正常值下限為0.5,6歲及以上兒童視力正常值下限為0.7。弱視患病率較高,為1%~5%,弱視zhiliao成功率隨著患兒年齡增加而下降,6歲之后較難矯正,應早診斷早zhiliao。
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2023-05-15 16:07:38【上新回顧】全自動影像測量儀LM-X系列
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2022-03-24 18:02:43大視場測量準確性的影像因素分析
  大視場系統的重要考慮的是,大視場和大焦距并不能保證光學系統產生遠心像。 例如,人眼具有非常大的聚焦深度;然而,將手指放在手臂長度處,然后將它移到更靠近眼睛的地方,會讓你的手指看起來變大。失真通常也表現為圖像的球形“不成形”,人眼很難檢測到,但對測量精度非常有害。光學系統所需要的鏡頭來創造一個真正的遠心圖像是復雜的,并且在它們產生的遠心程度上是不同的。 除此之外,在使用測量設備時,有許多因素會影響測量的有效性。OGP的Smartscope測量軟件優秀操作功能,以確定試圖用QVI大視場系統測量該特性的正確放大倍數,在邊緣分析中的最小特征尺寸,軟件使用搜索區塊來衡量測量一個特征。只要每個特征有足夠的搜索面域,軟件就會進行一個有效的測量。 搜索區塊的大小取決于放大倍數。隨著放大倍率增加,搜索區塊減少,軟件就需要更多的面域對面域進行評估測量。如果你想測量的特征小于軟件推薦的最小特征尺寸,搜索到的區塊就不足以準確地測量到特征尺寸。例如對于在不同放大倍率下測量同一圓形特征,隨著倍率的增加,更多的搜搜區域就被納入到計算的范疇內以實現更精準和可靠的測量。  
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2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術
反應離子刻蝕概述:反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應,同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等,廣泛應用于物理,生物,化學,材料,電子等領域。 工作原理:通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以,反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。  刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕,腐蝕氣體可用Cl2或SF6,要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2;刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2;刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2;刻蝕Al(或Al-Si-Cu合金)的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4;刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4;刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為:CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e,SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應, 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為:SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e,Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體)   。 設備:典型的(平行板)RIE系統包括圓柱形真空室,晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入,并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如,六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔,氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統,包括電感耦合等離子體(ICP)RIE。在這種類型的系統中,利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性,但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中,ICP被用作高密度離子源,其增加了蝕刻速率,而單獨的RF偏壓被施加到襯底(硅晶片)以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。  操作方法:通過向晶片盤片施加強RF(射頻)電磁場,在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率,施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子,從而產生等離子體 。在場的每個循環中,電子在室中上下電加速,有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時,響應于RF電場,更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時,它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而,沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓,通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度,等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差,正離子傾向于朝向晶片盤漂移,在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應,但也可以通過轉移一些動能來敲除(濺射)某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞,反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓,這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數,例如壓力,氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻,用于挖掘深部特征。
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