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2025-01-21 09:30:33國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移: 國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移是指將一個(gè)國(guó)家內(nèi)部的先進(jìn)技術(shù)、研究成果和創(chuàng)新能力，通過(guò)一定的方式和渠道，轉(zhuǎn)移到其他領(lǐng)域、行業(yè)或地區(qū)，以促進(jìn)技術(shù)資源的優(yōu)化配置和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的過(guò)程。國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移旨在推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化，提高科技創(chuàng)新能力，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)和經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整，是提升國(guó)家綜合實(shí)力的重要手段。

國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移相關(guān)內(nèi)容

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產(chǎn)品
問(wèn)答

國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移資訊

科技部火炬中心開(kāi)展國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)考核評(píng)價(jià)工作

現(xiàn)有420家國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)全部參加本次考核評(píng)價(jià)(名單見(jiàn)附件1)，考核評(píng)價(jià)重點(diǎn)為2020年1月1日至2022年12月31日國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)相關(guān)工作開(kāi)展情況。

1533
2023-01-18
國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)考核評(píng)價(jià)
火炬中心印發(fā)《國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培養(yǎng)基地工作指引(試行)》的通知

國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培養(yǎng)基地主要承擔(dān)國(guó)家鼓勵(lì)、區(qū)域所需、市場(chǎng)缺口較大的技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培訓(xùn)工作，以及相關(guān)專項(xiàng)培訓(xùn)工作。

712
2021-06-05
國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培養(yǎng)基地
火炬中心發(fā)布第二批國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培養(yǎng)基地建設(shè)工作的通知

人才培養(yǎng)基地建設(shè)工作按照“市場(chǎng)主導(dǎo)、政府引導(dǎo)”的建設(shè)原則，充分發(fā)揮技術(shù)轉(zhuǎn)移服務(wù)機(jī)構(gòu)、行業(yè)協(xié)會(huì)等社會(huì)力量作用，新建一批滿足科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化需求、公益性與市場(chǎng)化相結(jié)合的人才培養(yǎng)基地。

943
2020-04-20
國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移人才培養(yǎng)基地
科學(xué)技術(shù)部征集適宜向“一帶一路”國(guó)家轉(zhuǎn)移的可持續(xù)發(fā)展技術(shù)

科技部國(guó)際合作司現(xiàn)通過(guò)地方科技廳(局)、各行業(yè)協(xié)會(huì)公開(kāi)征集適宜向“一帶一路”國(guó)家轉(zhuǎn)移的可持續(xù)發(fā)展技術(shù)成果，編制《適宜向“一帶一路”國(guó)家轉(zhuǎn)移的可持續(xù)發(fā)展技術(shù)清單》。

717
2020-12-13
一帶一路國(guó)家轉(zhuǎn)移的可持續(xù)發(fā)展技術(shù)

國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱

所在地

價(jià)格

供應(yīng)商

咨詢

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國(guó)家技術(shù)轉(zhuǎn)移問(wèn)答

2023-07-03 14:09:49寶德儀器精彩亮相2023年國(guó)家環(huán)境監(jiān)測(cè)新標(biāo)準(zhǔn)解讀和水質(zhì)監(jiān)測(cè)技術(shù)交流會(huì): 2023年6月29日（周四），由廣東省環(huán)境監(jiān)測(cè)協(xié)會(huì)主辦的“2023年國(guó)家環(huán)境監(jiān)測(cè)新標(biāo)準(zhǔn)解讀和水質(zhì)監(jiān)測(cè)技術(shù)交流會(huì)”(以下稱“交流會(huì)”)于廣州市成功落幕，會(huì)議吸引了眾多環(huán)境和水質(zhì)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域的專家和技術(shù)人員的關(guān)注和積極參與，該會(huì)議旨在提升環(huán)境監(jiān)測(cè)人員的技術(shù)能力和水平，全面了解國(guó)家對(duì)環(huán)境監(jiān)測(cè)任務(wù)和要求、監(jiān)測(cè)技術(shù)要點(diǎn)。北京寶德儀器有限公司作為檢測(cè)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)室分析儀器企業(yè)，攜自主研發(fā)生產(chǎn)的全自動(dòng)流動(dòng)注射分析儀、全自動(dòng)高錳酸鹽指數(shù)分析儀、全自動(dòng)重鉻酸鹽分析儀等主打產(chǎn)品精彩亮相交流會(huì)會(huì)場(chǎng)。本次會(huì)議，寶德儀器也帶來(lái)了公司全新的水質(zhì)分析產(chǎn)品及方案--全自動(dòng)BOD分析儀、全自動(dòng)溶解性總固體分析儀，為環(huán)境水質(zhì)監(jiān)測(cè)工作注入科技新力量，提升技術(shù)新體驗(yàn)，賦能用戶高效率工作。歡迎廣大用戶垂詢新品！01、全自動(dòng)BOD分析儀可測(cè)定地表水、工業(yè)廢水和生活污水中的生化需氧量（BOD）、五日生化需氧量(BOD5)和溶解氧（DO）廣泛應(yīng)用于環(huán)保、疾控、水文系統(tǒng)、水務(wù)系統(tǒng)等領(lǐng)域操作系統(tǒng)人性化設(shè)計(jì)，自動(dòng)化處理繁瑣工序全自動(dòng)完成全流程測(cè)定工作，無(wú)需專人看管儀器運(yùn)行穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)單、測(cè)量準(zhǔn)確02、全自動(dòng)溶解性總固體分析儀可測(cè)定水質(zhì)（生活飲用水、水源水、地下水、地表水、生活污水、工業(yè)廢水）中的溶解性總固體含量和懸浮物、總α/β放射性活度；可測(cè)定食品、固體廢物中的水分、含水量和干物質(zhì)含量自動(dòng)化大批量地自動(dòng)蒸發(fā)烘干、恒重稱量，無(wú)需實(shí)驗(yàn)人員頻繁穿梭天平室與高溫室，大大提升了工作效率系統(tǒng)并設(shè)有高溫高壓過(guò)載保護(hù)等功能，無(wú)需人員值守，保障實(shí)驗(yàn)室安全運(yùn)行管理大家的來(lái)訪交流是對(duì)寶德儀器產(chǎn)品的認(rèn)可，也激勵(lì)著寶德儀器未來(lái)能夠不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量，繼續(xù)創(chuàng)新儀器技術(shù)，解決監(jiān)測(cè)檢測(cè)市場(chǎng)需求，滿足廣大用戶的期待。

2023-06-25 15:47:51會(huì)議邀請(qǐng) | 寶德儀器邀您共赴廣州【2023年國(guó)家環(huán)境監(jiān)測(cè)新標(biāo)準(zhǔn)解讀和水質(zhì)監(jiān)測(cè)技術(shù)交流會(huì)】: 推薦產(chǎn)品全自動(dòng)流動(dòng)注射分析儀2019年BCEIA金獎(jiǎng)，一體機(jī)設(shè)計(jì)的儀器可全自動(dòng)在線分析水質(zhì)、土壤、食品、農(nóng)業(yè)等眾多領(lǐng)域樣品中揮發(fā)酚、（總）氰化物、總氮、總磷、六價(jià)鉻、高錳酸鹽指數(shù)、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氨氮、硅酸鹽、陰離子表面活性劑、正磷酸鹽等成份，多參數(shù)同時(shí)測(cè)定的功能適用于大批量樣品快速分析。液相色譜-原子熒光光譜聯(lián)用儀系統(tǒng)可定性、定量分析砷、汞、硒、銻等痕量重金屬化合物中的化學(xué)形態(tài)，適用于食品、環(huán)境、疾控等多領(lǐng)域，其中原子熒光光度計(jì)單元榮獲2017年BCEIA金獎(jiǎng)，其獨(dú) 創(chuàng)的汞燈自動(dòng)激發(fā)起輝和扣除漂移裝置，有效解決汞的漂移和不易起輝的問(wèn)題。全自動(dòng)高錳酸鹽指數(shù)分析儀儀器采用的分析方法完全符合GB11892-89、GB/T 5750.7-2006標(biāo)準(zhǔn)方法的規(guī)定，適用于飲用水、水源水和地面水的高錳酸鹽指數(shù)測(cè)定，儀器全自動(dòng)完成樣品加液、消解和滴定過(guò)程，并模擬人眼識(shí)別滴定終點(diǎn)，測(cè)定范圍為0.5~5.0mg/L。全自動(dòng)化學(xué)需氧量（重鉻酸鹽法）分析儀儀器完全依照標(biāo)準(zhǔn)（HJ828-2017）設(shè)計(jì)，測(cè)量全過(guò)程完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求，采用重鉻酸鉀法測(cè)定水中化學(xué)需氧量。整機(jī)采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)合理，自動(dòng)完成試劑添加，性能穩(wěn)定，智能檢測(cè)，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。

2021-02-25 10:55:03氨氮國(guó)家水質(zhì)自動(dòng)分析儀技術(shù)要求是什么？: 氨氮國(guó)家水質(zhì)自動(dòng)分析儀技術(shù)要求是什么？

2023-06-21 14:18:26喜報(bào) | 盛瀚離子色譜產(chǎn)品出口國(guó)家增至71個(gè)

2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù): 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來(lái)進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來(lái)使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽(yáng)極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對(duì)反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場(chǎng), 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下, 被高頻電場(chǎng)加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過(guò)程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場(chǎng)方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。刻蝕氣體的選擇對(duì)于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對(duì)其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對(duì)于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過(guò)程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來(lái)的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對(duì)于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對(duì)Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過(guò)程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤(pán)位于室的底部。晶片盤(pán)與腔室的其余部分電隔離。氣體通過(guò)腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過(guò)底部離開(kāi)真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過(guò)調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過(guò)向晶片盤(pán)片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過(guò)剝離電子來(lái)電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤(pán)。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤(pán)片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤(pán)片積聚電荷。這種電荷積聚在盤(pán)片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤(pán)漂移，在晶片盤(pán)中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過(guò)轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來(lái)敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。