德國Allresist 正電子束光刻膠 AR-P 610系列

用于納米光刻的 AR - P617電子束電阻

共聚物抗蝕劑系列用于生產集成電路和掩模

描述

-電子束，深紫外光(248nm)

-高分辨率，高對比度

-對玻璃、硅和金屬有很強的附著力

-比PMMA敏感3-4倍

-敏感性可以通過軟烤調整

-用于平面化和多層工藝

-溫度穩定，可達240℃

-以甲基丙烯酸甲酯為基礎的共聚物

甲基丙烯酸，安全溶劑1-甲氧基-2-丙醇

屬性 I

屬性 II

工藝條件

該圖顯示了AR-P 610系列電阻的典型工藝步驟。所有規范都是指導原則必須適應自身具體情況的價值觀。For 進一步 信息 processing, ? “Detailed 電子束電阻的處理說明"。For 建議 廢水 處理 和 general 安全 instructions, ? ”General 產品 信息 Allresist 電子束 resists”.

Processing instructions

抗蝕劑的敏感性隨軟烤溫度的升高而增加，這是因為抗蝕劑的形成更加強烈下 的 甲基 丙烯酸 酐 的 分離 水 (? 圖 劑量 與 softbake temperature).AR-P 617,因此，在200℃回火比在180℃回火大約敏感20%。劑量可以是對兩層AR-P 617系統進行相應的調整，對于兩層系統具有重要意義。在這種情況下,首先，底層在200℃下干燥，然后在180℃與上層膜一起回火。由于差異化的過程，較低的層次被開發人員更快地攻擊，并明顯削弱結構形成(起飛)。這些起飛結構也可以由雙層系統PMMA/共聚物。首先在190℃下對ar - p617進行涂層回火處理，然后對其進行PMMA抗AR-P 679.03紡絲涂膜，150℃烘干。曝光后，兩層都是一步顯影，如AR-600-56處理瓶塞AR-600-60并沖洗。

剝離結構為ar - p617兩層側切結構，                                      采用PMMA/共聚物

經過AR 600-50的開發                                                開發后的PMMA/共聚物雙層體系

底部:AR-P 617.06, 400納米厚，200℃回火                  底部:AR-P 617.06, 400納米厚，在190℃回火                                           

頂部:AR-P 617.06, 500納米厚，180℃回火                   頂部:AR-P 679.06, 180納米厚，150℃回火

由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸組成的共聚物與純PMMA產品相比，在熱載荷作用下能形成6環。在這種情況下，兩個甲基丙烯酸基團必須相鄰排列在聚合物鏈上(見大的結構式左)，這在統計學上發生足夠高混合比例為2:1時的頻率(見右上方分子式)。在這個溫度下反應是可能的，因為在反應過程中產生的水是非常好的離開組織。

The 6-ring 形成 分裂 比 脂肪 鏈 更 容易 在 與 電子 輻照 remainder 導致 copolymer. 的 靈敏度 越 高一旦調整，靈敏度將保持不變。逆開環反應是不可能的。

由于其優異的涂層性能，使其成為可能存在 的 水平 出 拓撲 wafer 發展 之前在這個例子中，200納米高氧化層結構采用AR-P 617.08涂層的薄膜厚度為780納米。曝光后(20kv)和開發(AR-600- 50,2分鐘)，晶圓片結構被完全平面的抗蝕劑線覆蓋。