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銦鎵砷線陣圖像傳感器 G11135-512DE

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產(chǎn)品特點


線陣(512像素)近紅外(0.95 to 1.7 μm)圖像傳感器
G11135系列是為異物檢測設(shè)備而設(shè)計的銦鎵砷線陣圖像傳感器。該傳感器由銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片組成,CMOS芯片內(nèi)部包含電荷放大陣列、偏執(zhí)補(bǔ)償電路、移位寄存器和時序產(chǎn)生器。銦鎵砷二極管陣列和CMOS芯片由銦球連接。電荷放大陣列是把銦鎵砷二極管陣列的每個像素和CMOS晶體管連接而形成的。每個像素的信號在電荷積分模式下讀出,因此獲得了近紅外波段的高靈敏度和工作穩(wěn)定性。CMOS芯片上的信號處理電路可以通過對外電壓來選擇兩種等級的轉(zhuǎn)換效率(CE),以滿足不同的應(yīng)用需要。


產(chǎn)品特性
● 線陣(512像素)
● 高速數(shù)據(jù)率:zuida5 MHz
● 兩種轉(zhuǎn)換率可選
● 像素尺寸:25×25μm
● 內(nèi)置溫度傳感器
● 像素之間的線性度差異小
● 低成本


詳細(xì)介紹

詳細(xì)參數(shù)
圖像尺寸 12.8 x 0.025 mm
像素尺寸 25 x25 μm
像素間距 25 μm
總像素個數(shù) 512
封裝 Ceramic
幀頻 (最大值) 8150lines/s
制冷方式 Non-cooled
光譜響應(yīng)范圍 950 to 1700 nm
暗電流(典型) 2.5 pA
測試條件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted

光譜響應(yīng)

外形尺寸(單位:mm)

相關(guān)下載

Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]

InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]

Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]

Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]

Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]

技術(shù)資料

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