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可移動型管式爐--OTF-1200X-S

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詳細介紹

OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內移動(靠步進電機控制)的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設備最高工作溫度為1200℃。
 設備特點:坩堝通過一步進電機控制爐管,按照設定程序移動,同時坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動),可實時監測樣品的溫度,意味著可通過移動坩堝的位置,在爐體中準確找到實驗所需要的溫度,使得實驗準確度更高,重復性更強。此款設備可用于多種實驗,比如HPCVD(hybridphysicalchemicaldeposition),快速熱蒸發,也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體。

技術參數

高溫爐部分

  • 爐體設計為開啟式,以便于更換爐管

  • 工作電源:208-240VAC,50/60Hz

  • 最大功率為:2KW

  • 最高工作溫度:1200℃(<1hr)

  • 連續工作溫度:1100

  • 加熱區長度:200mm

  • 恒溫區長度:60mm(+/-1℃@1000℃)

  • 爐管:高純石英管,尺寸50mmO.Dx44mmI.Dx450mmL)(點擊圖片查看詳細資料)

溫度控制系統

  • 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為+/-1℃

  • 控溫儀表操作視頻

  • 設有過熱和斷偶保護

  • 熱電偶采用K型熱電偶

真空密封

  • 采用KF結構密封法蘭,硅膠密封圈密封

  • 法蘭上安裝有一機械壓力表

  • 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管最大伸縮幅度為150mm)

  • 真空度:10-2Torr(用機械泵抽) 10-5Torr(用分子泵抽)

坩堝移動機構&PLC控制

  • 一個直徑為1/4"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實時監測樣品的實際溫度。

  • 通過步進電機移動爐管內的坩堝(樣品臺),最大行程為100mm,移動精度為1mm

  • 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置,坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度,可與本公司聯系定制,需額外收費)

  • 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法

最大加熱速率和冷卻速率

可通過移動樣品到已預加熱的爐體中來得到最大的加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來得到最大的降溫速率

最大加熱速率10℃/sec(150℃-250℃);7℃/sec(250℃-350℃);4℃/sec(350℃-500℃);3℃/sec(500℃-550℃);2℃/sec(550℃-650℃);1℃/sec(650℃-800℃);0.5℃/sec(800℃-1000℃);最大降溫速率10℃/sec(950℃-900℃);7℃/sec(900℃-850℃);4℃/sec(850℃-750℃);2℃/sec(750℃-600℃);1.5℃/sec(600℃-500℃);1℃/sec(500℃-400℃);0.5℃/sec(400℃-300℃);


可選配件

  • 可選購手動擋板閥(圖1)

  • 防腐型數顯真空計(圖4)

  • 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)

  • 多路質量流量計控制的混氣系統,用于CVD和DVD實驗(圖5)

尺寸

質保

一年質保期,終生維護(不含加熱元件、爐管和密封圈)

質量認證

  • CE認證

  • 所有電器元件(>24V)都通過UL?/?MET?/?CSA認證

  • 若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證

注意事項

  • 爐管內氣壓不可高于0.02MPa

  • 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全

  • 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態

  • 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

  • 石英管的長時間使用溫度<1100℃

  • 對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂,法蘭飛出等)

應用

  • 此款設備可用于多種實驗,以下列出了幾種實驗方法

  • RTE(快速熱蒸發):蒸發料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實驗所需要的溫度)

  • HPCVD(混合物理化學沉積):與RTE相似,但需配混氣系統,對反應氣體混合并控制流量,同時也需設定蒸發料的位置(確定蒸發料的蒸發溫度)

  • 水平布里奇曼(Bridgman)法來長晶體:將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設定坩堝移動速度,慢慢移動坩堝


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