半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復(fù)雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，普賽斯大功率分立器件測試設(shè)備集多種測量和分析功能一體，可晶準(zhǔn)測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流晶準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。       

普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)特點(diǎn)和優(yōu)勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六

系統(tǒng)指標(biāo)

測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容           

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 

更多有關(guān)大功率分立器件測試設(shè)備詳情找普賽斯儀表專員為您解答，武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。