PMST高電壓半導體器件功率分析儀是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.  BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業專家。

針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態參數測試系統、PMST-MP功率器件靜態參數半自動化測試系統、PMST-AP功率器件靜態參數全自動化測試系統三款功事器件靜態參數測試系統。

從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋

 產品特點

 高電壓、大電流

 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

 高精度測量

  nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

  0.1%精度測量

  模塊化配置

  可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

  測試效率高

  內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

  支持國標全指標的一鍵測試

  擴展性好

  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！