硅片四探針電阻率測試儀1. 便于查看的顯示/直觀的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD顯示；操作易學，直觀使用；

2. 基本設置操作簡單，方阻、電阻、電阻率、電導率和分選結果；多種參數同時顯示。

3. 精度高：電阻基本準確度： 0.05％；方阻基本準確度：3%；電阻率基本準確度：3%

4. 整機測量相對誤差：≤±3%；整機測量標準不確定度：≤±3%

5. 四位半顯示讀數；八量程自動或手動測試；

6. 測量范圍寬：1、電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電   阻：1×10-5～2×105Ω

電導率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率：  最小1μΩ

7. 正反向電流源修正測量電阻誤差

8. 恒流源：電流量程分為： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六檔；儀器配有恒流源開關可有效保護被測件，即先讓探針頭壓觸在被測材料上，后開恒流源開關，避免接觸瞬間打火。為了提高工作效率，如探針帶電壓觸單晶對材料及測量并無影響時，恒流源開關可一直處于開的狀態。

9. 可配合多種探頭進行測試；也可配合多種測試臺進行測試。

10. 校正功能：可手動或自動選擇測試量程 全量程自動清零。

11. 厚度可預設，自動修正樣品的電阻率,無需查表即可計算出電阻率。

12. 自動進行電流換向,并進行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測量,顯示平均值.測薄片時,可自動進行厚度修正。

13. 雙電測測試模式，測量精度高、穩定性好.

14. 具備溫度補償功能，修正被測材料溫漂帶來的測試結果偏差。

15. 比較器判斷燈直接顯示，勿需查看屏幕，作業效率得以提高。

3檔分選功能：超上限，合格，超下限，可對被測件進行HI/LOW判斷，可直接在LCD使用標志顯示；也可通過USB接口、RS232接口輸出更為詳細的分選結果。

16. 測試模式：可連接電腦測試、也可不連接電腦單機測試。

17. 豐富的接口，Handler接口、RS232接口、USB HOST、USB DEVICE。實現遠程控制。U盤可記錄測試數據

18. 軟件功能（選配）：軟件可記錄、保存、各點的測試數據；可供用戶對數據進行各種數據分

析。

標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。

硅片四探針電阻率測試儀1. 數字電壓表：

⑴量程： 20.00mV

⑵誤差：±0.2%FSB±2LSB

⑶分辨力：1.0μV

顯示: 4 位數字顯示，小數點自動顯示

2. 數控恒流源

⑴電流輸出：直流電流 0.1μA～1.0A，系統自動調整。

⑵誤差：±0.2%FSB±2LSB

3. 四探針測試探頭：

有選配的型號確定，詳見《不同半導體材料電阻率/方阻測試的四探針探頭和測試臺選配方

法》

4. 電源：

功 耗：< 15W，輸入:220V±10% 50Hz±2%

5本儀器工作條件為： 溫 度： 0-40℃ 相對濕度： ≥60%

工作室內應無強電磁場干擾，不與高頻設備共用電源。

外形尺寸：

主機 245mm（長）×220 mm（寬）×95mm（高）

導體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。

以下文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的

條款。但凡注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包

括訂正的內容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根

據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的新版

本。但凡不注日期的引用文件，其新版本適用于本標準。

GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法

樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合GB/T152 中的

規定。樣品臺上應具有旋轉360"的裝置。其誤差不大于士

5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

范圍本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層

和離子注入層薄層電阻的方法。

本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、

離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電

阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不

小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該

方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量

準確度尚未評估。

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外

探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有

關的修正因子，計算出薄層電阻。覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數補償.高集成電路系統、恒流輸出；選配：PC軟件進行數據管理和處理.

雙電測數字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響.

概述：采用四端測量法適用于生產企業、高等院校、科研部門，實驗室；是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的工具。可配置不同測量裝置測試不同類型材料之電阻率。液晶顯示，溫度補償功能，自動量程，自動測量電阻，電阻率，電導率數據。恒流源輸出；選配：PC軟件過程數據處理和標準電阻校準儀器，薄膜按鍵操作簡單，中文或英文兩種語言界面選擇，電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mVˉ100mV