PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設置合適的長晶溫度以及長晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發生明顯的分解與升華，產生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處，形成SiC晶體。

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長系統是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。可以生長6/8英寸的晶錠。

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真空爐腔系統較為限本底真空值達到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長的穩定性

．智能化生長及監測系統，實現多種制程精確定制，工藝優化，長晶全過程實時監控，數據可視化存檔

．新型感應加熱線圈設計，有效提高熱場加熱的均勻性和穩定性
．業內首 創的PIM自檢系統，有效減免制程時間浪費
．穩定可靠的水冷系統，實現了水道管路溫度、流量的實時監控，保證了生長室溫場的穩定性
．可生產6英寸P級碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個／cm2，電阻率達0.015-0.0280

應用

高功率IGBT

智能逆變器

射頻器件

5G通訊

風力發電

新能源汽車

高動力系統

核能