產品簡介:

SemDex M2型晶圓厚度測量系統是德國SENTRONICS半導體公司一款高性能的模塊化晶圓厚度測量系統，該系統可集成紅外光譜干涉測量技術，光學干涉技術及光學反射技術探頭，廣泛用于半導體Wafer Manufacturing, FEOL, BEOL to Wafer Level Packaging領域，SENTRONICS以其準確的測量能力，非接觸的測量方式，快速的測試速度，上下雙探頭符合SEMI標準的測試方式，使得該設備在半導體，MEMS，在化合物外延領域晶圓厚度測量擁有很高的市場占有率,在半導體行業已經超有100個Fab工廠已安裝該系統。

主要功能： 

1、紅外光譜技術：采用光譜相干干涉技術，該技術可用于測量最小厚度為1um的wafer, 分辨率可達納米量級，主要用于測量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度。

   配置單探頭系統，可以測量一些對紅外線透明的材料，例如Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英和一些聚合物，還可以測量常規有圖形、有膠帶、凸起或者鍵合在載體上晶圓的襯底厚度。

   配置雙探頭系統時，還提供晶圓整體厚度測量（包括襯底厚度和在光不能穿透的情況下的圖形高度厚度)。

   還可以用于測量溝槽深度和通孔深度（包括微機電中的高深寬比的溝槽和通孔），微機電應用中薄膜厚度測量和凸塊高度測量。

2、白光干涉技術：采用白光干涉技術，可得到wafer表面的3D形貌，表面粗糙度，TSV等關鍵尺寸，測量范圍為0-100um，分辨率為亞納米水平。

3、光學反射技術：采用光學反射技術，可得到wafer表面涂層或薄膜的厚度，可測量最小厚度5nm的薄膜，分辨率為亞納米量級。

 產品特點：

1、兼容4,6,8,12寸樣品；

2、所有檢測數據，一步同時完成測量；

3、可在一臺儀器上搭配不同技術的測量探頭，用于測量晶圓的厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度，3D形貌，TSV，關鍵尺寸，粗糙度等參數。

4、M系列測量臺為無振動測量的空氣懸浮臺(M2型號可選裝高速旋轉臺)；

5、可在現場將半自動系統升級為全自動系統（M1升級為M2），減少換機工作量和時間；

6、符合SEMI S2和S8標準；

7、用戶界面友好的WaferSpect 軟件，軟件具有mapping功能,可以多點測試后提供樣片測試的mapping圖。 

應用行業：

- 化合物半導體：研磨芯片厚度控制GaAs，InP, SiC，GaN 

- 硅基器件前段：功率器件，MEMS，射頻MEMS

- 硅基器件后段：8”和12”的封裝及bumping線，TSV(硅通孔技術)

- LED：可用作檢測藍寶石或碳化硅片厚度及TTV

- 光通訊：石英材料類 

典型應用案例：