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光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

品牌：屹持光電
型號： BSO
產(chǎn)地：上海閔行區(qū)
供應(yīng)商報價：面議

上海屹持光電技術(shù)有限公司更新時間：2025-04-24 13:05:05

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同類產(chǎn)品光學(xué)晶體(17件)

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光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

光折變效應(yīng)是局部折射率通過光強(qiáng)度的空間變化而改變的現(xiàn)象。當(dāng)形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強(qiáng)烈觀察到。這是由于漂移或擴(kuò)散和空間電荷分離效應(yīng)，在遷移材料中產(chǎn)生電荷載流子。產(chǎn)生的所產(chǎn)生的電場通過電光效應(yīng)引起折射率變化。其中一些應(yīng)用是空間光調(diào)制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。

Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質(zhì)的獨(dú)特組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導(dǎo)體，具有低暗電導(dǎo)率，允許建立大的光誘導(dǎo)空間電荷。光電導(dǎo)性和光電特性的強(qiáng)烈光譜依賴性允許開發(fā)和生產(chǎn)各種各樣的光學(xué)器件和系統(tǒng)。BSO和BGO晶體用于空間光調(diào)制器，動態(tài)實時全息記錄設(shè)備，相位共軛波混合，光學(xué)相關(guān)器和光學(xué)激光系統(tǒng)，用于超短光脈沖的自適應(yīng)校正。光誘導(dǎo)吸收使其有可能開發(fā)和生產(chǎn)“光 - 光”型光學(xué)器件，如光學(xué)調(diào)制器，開關(guān)等。通過不同技術(shù)制造氧化亞錫薄膜晶體結(jié)構(gòu)允許開發(fā)包括光學(xué)波導(dǎo)，集成光學(xué)器件的多種裝置。基于Sillenites的波導(dǎo)光學(xué)結(jié)構(gòu)的使用允許在寬光譜范圍內(nèi)實現(xiàn)均勻照射（通常到波導(dǎo)平面）。

BGO SBN

Sillenite Oxides的相對較大的電光和法拉第效應(yīng)使其可用于光纖電/磁場傳感器。我們能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體用于科學(xué)研究，并大量用于工業(yè)目的。隨著2x2x2 - 25x25x25 mm3晶體，我們還提供帶有ITO（氧化銦錫）涂層的孔徑高達(dá)30x30 mm2，厚度為0.5 - 5 mm的晶體板。
鍶鋇鈮酸鹽（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一種優(yōu)異的光學(xué)和光折變材料。名義上純，由Ce，Cr，Co，F(xiàn)e摻雜。不同組成的SBN晶體用于電光學(xué)，聲光學(xué)和光折變非線性光學(xué)器件。一種新的生長技術(shù)提供了優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量單晶，沒有生長條紋，夾雜物和其他不均勻性，以及高達(dá)80mm的確定橫截面和線性尺寸。SBN晶體元件滿足不同應(yīng)用的要求。基于這種獨(dú)特的晶體生長技術(shù)，可以使用大量高質(zhì)量的SBN光學(xué)元件和光折變單元，F(xiàn)e：LiNbO3（其他摻雜劑可用）。

鐵摻雜鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3）是一種常用的具有高電光（EO）系數(shù)，高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料。與BaTiO3系列光折變晶體相比，它具有易于操作和存儲，成本低，尺寸利用率大等突出優(yōu)點(diǎn)，使其更適用于批量制造和實用設(shè)備。因此，F(xiàn)e：LiNbO3晶體將預(yù)測廣泛的應(yīng)用。MolTech提供具有不同F(xiàn)e摻雜濃度，尺寸和光學(xué)處理要求的晶體。

光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體

晶體	Bi ₁₂ SiO ₂₀（BSO）	Bi ₁₂ GeO ₂₀（BGO）	Fe：LiNbO ₃	SBN x = 0.60	SBN x = 0.75
晶體結(jié)構(gòu)	立方，點(diǎn)組：23	立方，點(diǎn)組：23	三角形，3m	4mm	4mm
晶格（胞）參數(shù)，?	10.10	10.15	-	a = 12.46，c = 3.946	a = 12.43024，c = 3.91341
透射范圍，μm	0.4-6	0.4-7	0.35 - 5.5	0.3 5 - 6.0	0.35 - 6.0
折射率在0.63μm	2.54	2.55	2.20（ne），2.29（no）	n _e = 2.33，n _o = 2.36 @0.51μm	n _e = 2.35，n _o = 2.37 @0.51μm
電光系數(shù)r41，pm / V	5	3.5	r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32	r ₁₃ = 47，r ₃₃ = 235	r ₁₃ = 67，r ₃₃ = 1340
光學(xué)活性，500納米處的deg / mm	42	41.5	-	-	-
在600nm處為 - deg / mm	25	24	-	-	-
密度，g / cm ³	9.15	9.2	4.64	5.4	5.4
莫氏硬度	5	5	5	5.5	5.5
熔點(diǎn)，C	890	920	1255（Tc = 1140）	1500±10°C	1500±10°C
介電常數(shù)	56	40	85（e11）30（e33）	880	3400
暗電阻，歐姆厘米	10 ¹⁴	10 ¹⁴	-	-	-
吸收系數(shù)@0.44μm	-	-	-	0.3cm ^-1	-
在25°C時的熱導(dǎo)率	-	-	-		0.006 W / cm * K
@ 1370至1470℃下	-	-	-	-	0.008 W / cm * K
熱光系數(shù)dn _e / dT	-	-	-	3×10 ^-4 K ^-1	-
居里溫度	-	-	-	75℃	56℃
半波電壓	-	-	-	240伏	48 V