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激光分子束外延分析系統 180 Laser MBE/PLD

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產品特點

獨立的MAPLE PLD系統
有機和聚合物薄膜的沉積
在同一室的附加沉積源(可選): 脈沖電子沉積(PED),射頻/直流濺射和直流離子源
Load-lockable襯底階段
與XPS分析系統集成,直接將晶片從PLD系統轉移到分析系統

詳細介紹

產品簡介

激光 MBE 是普遍采用的術語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的 PLD 與在線工藝監測的反射高能電 子衍射(RHEED)的聯合應用,用戶提供了類似于 MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。 正確的設計是成功使用 RHEED 和 PLD 的重要因數 RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要 的,維持 RHEED 電子槍的工作壓力,同時保持 500 mTorr 的 PLD 工藝壓力。同時,設計完整的系統消除磁場對電子束 的影響是至關重要的。Neocera 激光 MBE 系統可以添加客戶定制系統,比如超高真空激光襯底加熱器,用于集成原位分 析系統(XPS/ARPERS 等)。樣品可以簡單地從激光 MBE/PLD 系統傳送到超高真空 XPS/ARPERS等)。樣品可以簡單地從激光 MBE/PLD 系統傳送到超高真空 XPS/ARPERS 系統。


產品特點

獨立的MAPLE PLD系統
有機和聚合物薄膜的沉積
在同一室的附加沉積源(可選): 脈沖電子沉積(PED),射頻/直流濺射和直流離子源
Load-lockable襯底階段
與XPS分析系統集成,直接將晶片從PLD系統轉移到分析系統


技術參數

1.PLD腔尺寸:12 " /18 "直徑(Pioneer 120-Advanced/ Pioneer 180型號)

2.襯底尺寸:1厘米× 1厘米(激光加熱器) ; 直徑2”(輻射加熱器)

3.襯底加熱:1000 ℃(激光加熱器);850℃(輻射加熱器)

4. 目標旋轉:直徑 6 x 1 "或3 x 2 "

5.工業氣體:氧氣和氮氣100 SCCM的mfc

6. 軟件:Windows 7/Labview 2013

7. RHEED電子槍與軟件:a.射柱電壓:30keV;b.運行壓力:500 mTorr/氧;c. RHEED屏幕/快門。d. CCD攝像機和數據采集軟件




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