直流濺射法
磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。
磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設(shè)備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進(jìn)行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進(jìn)而使得濺射率增加。
直流濺射法
靶材可以往與其緊密接觸的陰極傳遞在離子轟擊過程中得到的正電荷為直流濺射法的基本要求，因此此方法僅可以對導(dǎo)體材料進(jìn)行濺射，而對絕緣材料不適用。由于對絕緣靶材進(jìn)行轟擊時，表面的離子電荷不能夠中和，此將會升高靶面電位，外加電壓幾乎均往靶上加，就會減少兩極間的離子加速與電離的機會，甚至于不可以電離，造成連續(xù)放電不可以甚至于停止放電，停止濺射。所以對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁谋仨毑捎蒙漕l濺射法。
復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程包含于濺射過程中：入射粒子和靶材原子發(fā)生彈性碰撞，靶材原子會吸收入射粒子的一部分動能。某些靶材原子的動能會比其周圍存在的其它原子所形成的勢壘要高，從而從晶格點陣中被碰撞出來，使得離位原子產(chǎn)生。這些離位原子進(jìn)一步依次反復(fù)碰撞附近的原子，使得碰撞級聯(lián)產(chǎn)生。當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時，若靠近靶材表面的原子的動能比表面結(jié)合能要大，那么這些原子就會脫離靶材表面，進(jìn)而往真空進(jìn)入。
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