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2025-01-21 09:31:43內燃機車通用技術條件: 內燃機車通用技術條件是指內燃機車在設計、制造、驗收及運用等方面應滿足的基本要求。這些條件涵蓋了機車的動力性能、制動性能、安全性、可靠性、舒適性以及環保性能等多個方面。它確保了內燃機車能夠高效、穩定地運行，并符合相關的行業標準和法規要求。這些技術條件對于保障鐵路運輸的安全和效率具有重要意義。

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英文譯本正式發布《鐵路信號繼電器試驗方法》等9項國家標準

該9項標準英文譯本是中國鐵路技術標準體系翻譯工作的重要組成部分，其發布對于推進中國鐵路標準國際化、服務“一帶一路”建設和推動中國鐵路“走出去”具有重要意義。

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2021-02-10
英文譯本內燃機車通用技術條件標準軌距鐵路機車鐵路信號繼電器

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內燃機車通用技術條件問答

2025-04-07 13:45:14浮游生物采集條件是什么: 浮游生物采集條件是什么浮游生物是水體生態系統中重要的組成部分，其種類繁多，廣泛存在于海洋、湖泊和河流等水域中。它們不僅是水域食物鏈的基礎，還對水體的生態環境具有重要影響。因此，準確地采集浮游生物成為生態研究、環境監測及水產養殖等領域的基礎工作之一。本文將探討浮游生物采集的條件，分析采集工具、采集時間、采集地點和采集方法等影響因素，以確保浮游生物樣本的代表性和采集數據的準確性。采集工具浮游生物采集工具的選擇對樣本質量有直接影響。常用的采集工具包括浮游生物網、浮游生物采樣器和透明水瓶等。浮游生物網通常用于在不同水層中采集浮游生物，通過網孔大小的調整可以控制采集到的浮游生物種類及其尺寸。而浮游生物采樣器則常用于大規模采集，尤其適用于水體深度較大的區域。根據研究目的的不同，選擇合適的工具能夠提高采樣的精度。采集時間浮游生物的種類和數量與時間密切相關，不同季節和不同時間段的采集結果可能會有顯著差異。浮游生物的分布通常在一天內存在較大的變化，白天與夜間的種群結構不同，因此，在選擇采集時間時，需要考慮目標物種的活動規律。通常，清晨和黃昏時段是浮游生物采集的黃金時間段，因為此時浮游生物較為集中，采樣效果佳。采集地點選擇適當的采集地點也是確保采樣成功的關鍵因素。浮游生物的分布與水體的溫度、鹽度、光照、營養物質濃度等環境因素息息相關。一般來說，浮游生物集中在水體的表層，尤其是光照充足、營養豐富的區域。因此，采集時應根據具體水域的環境條件，選擇浮游生物分布較為集中的地方進行采樣。不同的水體類型（如淡水或咸水）對浮游生物的種類和數量有很大的影響，采樣時需加以區分。采集方法采集浮游生物的方法多種多樣，常見的是通過過濾水樣進行采集。根據目標物種的大小，選擇適當孔徑的過濾網對水體進行過濾，以收集所需的浮游生物樣本。深水區域的采集通常采用垂直采樣法，從水面到水底不同深度進行逐層采樣。這種方法可以提供更全面的浮游生物數據，尤其適用于研究水體垂直分布的浮游生物種群。結語浮游生物的采集條件涉及多個方面，從采集工具的選擇到采集時間、地點及方法，每一環節都直接影響終采樣結果的準確性與代表性。為了確保研究數據的有效性，采集工作必須結合實際環境條件，并采用科學的操作流程。

2024-10-25 15:46:52拉曼光譜儀使用方法有哪些？通用規范是什么？: 拉曼光譜儀使用方法拉曼光譜儀是一種重要的分析工具，廣泛應用于化學、材料科學、生物醫學等領域，能夠通過分析分子振動、轉動和其他低頻模態的信息，獲取樣品的化學成分及其結構特征。本文將詳細介紹拉曼光譜儀的使用方法，包括設備準備、樣品處理、數據采集和分析，以幫助用戶充分發揮該儀器的優勢，實現準確的實驗結果。1. 設備準備在使用拉曼光譜儀之前，首先需要對設備進行仔細的準備。確保儀器的光源正常工作，常用的光源有氦-氖激光器和二氧化碳激光器。檢查光路系統，確保光路清晰，無雜質和灰塵。在儀器啟動前，好進行一次預熱，特別是對于固態激光器，這可以提高激光的穩定性和發射效率。2. 樣品準備樣品的準備對拉曼光譜的結果有著重要影響。不同類型的樣品需要不同的處理方法。對于固體樣品，可以直接放置在樣品臺上，而對于液體樣品，則需要使用適當的樣品池。在處理粉末樣品時，建議將其壓制成薄片，以減少光散射的影響。在樣品準備過程中，還應注意避免樣品污染，以確保實驗的準確性。3. 數據采集數據采集是拉曼光譜實驗的核心環節。設置適當的激光波長和功率，激光功率過高可能導致樣品熱分解或光損傷，影響數據質量。在調整光路時，要確保拉曼散射光能夠有效進入光譜儀的探測器。啟動數據采集時，可以選擇合適的積分時間和掃描次數，以平衡信號強度與噪聲比。在整個過程中，注意監測光譜的實時變化，必要時可以進行調整。4. 數據分析一旦數據采集完成，接下來就是數據分析。拉曼光譜的特點是其特征峰對應的波數與分子的振動模式密切相關。使用專業軟件對光譜進行分析，識別特征峰的位置和強度，進而推斷樣品的化學成分。常用的方法包括峰的擬合、比較和定量分析。可以通過與已有數據庫中的標準光譜進行比對，以確認樣品成分。5. 注意事項在操作拉曼光譜儀時，有幾點注意事項需要牢記。操作者應具備基本的光譜知識和實驗技能，以避免由于人為操作失誤導致的數據偏差。要定期對設備進行維護和校準，確保儀器的長期穩定性。在實驗過程中，保持良好的實驗記錄，詳細記錄樣品信息、實驗條件及結果，以便后續分析和重復實驗。

2022-12-26 21:04:06小核磁安裝條件: 小核磁安裝條件小核磁指哪類核磁儀器？小核磁又稱小核磁分析儀，由于體型較小，被形象的稱為小核磁。小核磁一般泛指低場強核磁共振系統，主要從分子運動角度研究樣品。小核磁主要用于高校科研、企業研發、工業質檢質控。小核磁結構緊湊，性價比高，使用方便，日常維護簡單，能夠應用于食品、農業、材料、能源、纖維、巖土等多個領域。小核磁儀器小巧，無需特殊安裝場所，安裝方便。小核磁一般為永磁體，無需制冷劑。維護檢修方便，漏磁小，使用安全，維護成本低。小核磁的組成：小核磁主要由磁體單元、射頻單元、譜儀單元和溫控單元幾個部分組成。磁體單元可提供均勻、穩定的主磁場；射頻單元用于射頻放大與樣品激勵；譜儀單元是小核磁分析儀的控制系統；溫控單元主要功能是對磁體進行米青準控溫。小核磁的工作原理原子核，如氫和氟等，都帶有正電荷，這些原子核本身具有一個重要的屬性，那就是其自旋。一個帶電的自旋體就產生一環形電流，而一環形電流便可形成一磁場。這樣，每一個原子核就是一個小磁體，也就像小指南針。在無外加磁場時，物質中的原子核磁場的指向是無規則雜亂分布的。當將物品放入一外加磁場中時，原子核就要與外加磁場發生相互作用，其作用的結果就是原子核磁場的方向排布有序，一部分原子核磁場的指向沿著外加磁場的方向，另一部分的原子核的指向與外加磁場方向相反，使樣品中原子核之間產生了熱能差別，即出現了能級。當原子核在兩個能級間躍遷時，便有核磁共振信號產生。小核磁安裝條件小核磁安裝環境要求1.常溫實驗室環境，環境溫度22-28度，儀器室應該安裝空調。2.需要一張結實的桌子，用于放置小核磁儀器；3.儀器應該放置在沒有振動的地方，遠離通風口、電梯、避免陽光直射；小核磁安裝電源要求1.供電電壓范圍：AC200V~240V;2.供電頻率：50Hz;3.與儀器相連的電源的地線必須可靠接地。小核磁安裝效果

2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術: 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體) 。設備：典型的（平行板）RIE系統包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。