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2025-04-25 14:15:24射頻探針: 射頻探針是一種用于高頻信號測試的關鍵工具，廣泛應用于半導體測試、微波測量等領域。它能夠將高頻信號從測試設備傳輸到被測器件，同時保持信號的完整性和準確性。射頻探針具有高精度、低損耗、高穩定性等特點，能夠確保測試結果的可靠性。此外，射頻探針還具備良好的兼容性和適應性，可用于不同類型的被測器件和測試場景。

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射頻探針座-優測國芯

射頻探針座射頻探針座作為射頻探針臺的核心部件，主要由兩部分構成：其一是探針座，其二是射頻調節結構。絲桿型射頻

 優測國芯電子科技（深圳）有限公司 34
2023-11-20
考夫曼聚焦射頻離子源 RFICP380 輔助制備原子探針樣品

 伯東企業（上海）有限公司 57
2023-02-01

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2025-04-23 14:15:17接觸角測量儀探針怎么調: 接觸角測量儀探針的調整是確保測量精度和儀器性能的關鍵步驟。在進行接觸角測量時，探針的正確調整可以顯著影響測量結果的準確性與一致性。本文將詳細介紹如何調節接觸角測量儀的探針，以確保測量過程中各項參數的佳配置，并幫助用戶避免常見的操作失誤。通過正確的操作，不僅能提高測量效率，還能延長儀器的使用壽命。因此，掌握探針調整的技巧，對每一位使用接觸角測量儀的工程師和技術人員來說，都是至關重要的。接觸角測量儀探針的調整通常涉及多個方面，其中包括探針的垂直度、位置以及與樣品表面接觸的角度。為了確保探針能夠精確地接觸到樣品表面，必須調整儀器的探針支撐架。通過調節支撐架的角度和高度，可以保證探針始終與樣品表面垂直，從而減少因角度不準確引起的測量誤差。接觸角測量儀的探針必須精確定位，以確保每次實驗中探針與液滴接觸的條件一致。通常，這需要通過微調螺絲來實現精細定位，確保探針的每次接觸位置不會偏離設定的標準位置。如果探針位置發生偏差，液滴的分布情況將不均勻，從而影響接觸角的準確度。在進行探針調整時，還需要考慮環境因素對測量結果的影響，例如溫度、濕度以及空氣流動等。任何這些因素的變化都可能導致測量值的波動。因此，在調節探針時，確保操作環境穩定，也是確保接觸角測量結果準確性的重要步驟。接觸角測量儀探針的調節是確保實驗數據可靠性的基礎。通過合理的調整方法和操作技巧，能夠有效地提高測量精度，并保證每次實驗結果的一致性。在實際操作中，專業人員應根據儀器的具體要求和操作手冊，謹慎調整探針的各項參數，避免因不當調整導致測量誤差。

2022-11-28 13:28:03射頻、微波產品-歡迎咨詢: 大功率寬帶固態連續波功率放大器（頻率范圍:4kHz-100GHz,功率范圍:1W-50kW）頻率0.35~0.4GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.44~0.52GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率0.1~0.7GHz-功率53dBm-增益±5dB頻率0.5~1.0GHz-功率57dBm-增益±3dB頻率1.2 ~1.4GHz-功率60dBm-增益±1dB頻率1.4~1.6GHz-功率57dBm-增益±1dB頻率1.8 -2.2GHz-功率60dBm-增益±1.5dB頻率2.7~3.1GHz-功率57dBm-增益±0.5dB頻率3.4~3.8GHz-功率57dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率2.5~6.0GHz-功率55dBm-增益±1dB頻率1.0~6.0GHz-功率53dBm-增益±2dB頻率6.0~18.0GHz-功率53dBm-增益±1dB頻率18.0~26.5GHz-功率50dBm-增益±1dB頻率26.5~40.0GHz-功率46dBm-增益±1dB頻率58.0~62.0GHz-功率37dBm-增益±1dB電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理、計量檢測和醫療設備等大功率寬帶固態脈沖波功率放大器[頻率范圍:4kHz-45GHz,功率范圍:100W-500kw(占空比0.1%-10%可調)]頻率0.728~0.96GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率1.4~1.6 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2. 7GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率3.4~3.8 GHz-功率66dBm-增益±1.5dB頻率4.5~4.8 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB頻率5.1~5.9 GHz-功率63dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理等。大功率寬帶固態脈沖和連續波功率放大器(頻率范圍4kHz-6GHz,功率范圍:連續波10W-1kW,脈沖波100W-10kW)頻率0.728~0.96GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率1.805~2.17GHz-功率69dBm-增益±1.5dB頻率2.3~2.7GHz-功率69dBm-增益±1.5dB應用領域:無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、計量檢測等。大功率寬帶TWT功率放大器(頻率范圍:1GHz-40GHz,功率范圍:20W-500W)頻率6~18GHz-功率53dBm-增益±1.5dB頻率18~26.5GHz-功率50dBm-增益±1.5dB頻率26.5~40GHz-功率46dBm-增益±1.5dB應用領域:電磁兼容系統、無源器件互調測試、無源器件功率容限測試、無線通信干擾和對抗系統、空間探索、高能物理計量檢測和醫療設備等。工作頻段及輸出功率可根據用戶要求定制輸入頻率范:1695±15MHz,輸出頻率: 132.5±15MHz, 增益:63dB±2dB（常溫）\60dB-70dB（-40℃-- +55℃）高頻頭LNB RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,輸出功率: 9.3-9.4 GHz---上變頻器RF輸入頻率: 800-900MHz, RF輸入功率: -10~10dBm,Gain: 20-25 dB----下變頻器中心頻率: 10.2GHz. 輸出功率: 200W, 輸入功率: 10mW---X波段固態功放模塊寬帶固態連續波功率放大器模塊(寬帶連續波功率:1W-50W,頻率:10kHz-18GHz)頻率:1.0~2.0GHz -功率47dBm-增益47dB頻率:1.0~3.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:1.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~4.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:2.0~6.0GHz -功率43dBm-增益43dB頻率:6.0~18.0GHz -功率43dBm-增益43dB 頻率: 824-849MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 800-1000MHz, 抑治: ≥30dB,頻率: 1710-1755MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 1920-2170MHz, 抑治: ≥50dB,頻率: 2110-2155MHz, 抑治: ≥60dB, 頻率: 2110-2170MHz, 抑治: ≥40dB, 頻率: 2300 –2400MHz, 抑治: ≥50dB, 帶阻濾波器技頻率: 925-960MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1550-1620MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 1805-1880MHz, 抑治: >50 dB, 頻率: 1893～1915MHz, 抑治: >50 dB,頻率: 2400-2483MHz, 抑治: ≥30 dB,頻率: 31.92-435.92MHz, 抑治: ≥30 dB, 帶通濾波器腔體濾波器|介質濾波器|介質雙工器|LC濾波器|LC雙工器| 0.3-2GHz-Vivaldi天線-水平、垂直雙線極化- > -10dBi增益- SMA-50K2-8GHz-角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K2-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 8～12dB增益- SMA-50K6-18GHz -角錐喇叭天線-單線極化- 10～18dB增益- SMA-50K0.8-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化--4～18dB增益- 2.92mm1-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 2～21dB（需要補測1-2GHz）增益- SMA-50K6-18GHz -圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 12～18dB增益- SMA-50K8-23GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 13~19dB增益- SMA-50K18-40GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 14～20dB增益- SMA-K34-36GHz-圓錐喇叭天線-水平、垂直交叉極化- 18dB增益- 2.92-50K 聯系方式（18013849410）微信同號

2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針: 簡介掃描俄歇納米探針，又稱俄歇電子能譜（Auger Electron Spectroscopy，簡稱AES）是一種表面科學和材料科學的分析技術。根據分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化學態）定性或定量信息。可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。近年來，隨著超高真空和能譜檢測技術的發展，掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具，為探索和研究表面現象的理論和工藝問題，做出了巨大貢獻，日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應用在包括半導體芯片成分表征等方向發展歷史近年來，固體表面分析方法獲得了迅速的發展，它是目前分析化學領域中最活躍的分支之一。它的發展與催化研究、材料科學和微型電子器件研制等有關領域內迫切需要了解各種固體表面現象密切相關。各種表面分析方法的建立又為這些領域的研究創造了很有利的條件。在表面組分分析方法中，除化學分析用光電子能譜以外，俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應用于化學、物理、半導體、電子、冶金等有關研究領域中。俄歇現象于1925年由P.Auger發現。28 年以后，J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認出俄歇電子譜線，但是由于俄歇電子譜線強度低，它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中，所以檢測它比較困難。 1968年，L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信號的檢測成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達到了可以實用的階段。 1969年圓筒形電子能量分析器應用于AES, 進一步提高了分析的速度和靈敏度。 1970年通過掃描細聚焦電子束,實現了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖)，出現了掃描俄歇微探針儀器。 1972年，R.W.Palmberg利用離子濺射，將表面逐層剝離，獲得了元素的深度分析，實現了三維分析。至此，俄歇譜儀的基本格局已經確定， AES已迅速地發展成為強有力的固體表面化學分析方法，開始被廣泛使用。基本原理俄歇電子是由于原子中的電子被激發而產生的次級電子。當原子內殼層的電子被激發形成一個空穴時，電子從外殼層躍遷到內殼層的空穴并釋放出光子能量；這種光子能量被另一個電子吸收，導致其從原子激發出來。這個被激發的電子就是俄歇電子。這個過程被稱為俄歇效應。Auger electron emission 入射電子束和物質作用，可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發態原子在釋放能量時只能進行一種發射：特征X射線或俄歇電子。原子序數大的元素，特征X射線的發射幾率較大，原子序數小的元素，俄歇電子發射幾率較大，當原子序數為33時，兩種發射幾率大致相等。因此，俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。如果電子束將某原子K層電子激發為自由電子，L層電子躍遷到K層，釋放的能量又將L層的另一個電子激發為俄歇電子，這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子是L層電子被激發，M層電子填充到L層，釋放的能量又使另一個M層電子激發所形成的俄歇電子。只要測定出俄歇電子的能量，對照現有的俄歇電子能量圖表，即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠高于原子內層軌道的能量，可以激發出多個內層電子，會產生多種俄歇躍遷，因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰，雖然使定性分析變得復雜，但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準確度很高，可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內,檢出限可達到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統組成 AES主要由超高真空系統、肖特基場發射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例，其核心分析能力為25 kV肖特基熱場發射電子源，與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術是閃爍二次電子探測器、高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動的五軸樣品臺和PHI創新的儀器控制和數據處理軟件包：SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴展冷脆斷樣品臺、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術，深受廣大用戶認可。PHI710激發源，分析器和探測器結構示意圖：為滿足當今納米材料的應用需求，PHI 710提供了最高穩定性的 AES 成像平臺。隔聲罩、低噪聲電子系統、穩定的樣品臺和可靠的成像匹配軟件可實現 AES對納米級形貌特征的成像和采譜。真正的超高真空（UHV）可保證分析過程中樣品不受污染，可進行明確、準確的表面表征。測試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵（TSP）抽氣實現的。肖特基場發射源有獨立的抽氣系統以確保發射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術用于系統粗抽，樣品引入室抽真空，和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，標配是一個多技術測試腔體。 PHI 710 是由安裝在一個帶有 Microsoft Windows ? 操作系統的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產品都包括執行行業標準的 PHI MultiPak 數據處理軟件用于獲取數據的最大信息。710 可應用互聯網，使用標準的通信協議進行遠程操作。AES的應用掃描俄歇納米探針可分析原材料（粉末顆粒，片材等）表面組成，晶粒觀察，金相分布，晶間晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等，還具備深度剖析功能表征鈍化層，包覆層，摻雜深度，納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?，二次電子成像的空間分辨可達 3納米，成分分布像可達8納米，分析材料表面元素組成（Li ~ U），是真正的納米級表面成分分析設備。可滿足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產品的分析需求。AES 應用的幾種例子，從左到右為半導體FIB-cut，鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎知識，后續我們還會提供更有價值的知識和信息，希望大家持續關注“表面分析家”！

2023-07-31 16:55:12微電容單通道叉指電極真空探針臺用途介紹: 叉指微電極因其微小的電極間距結構，可用于各種小型化傳感器。對于傳統分析檢測，包括色譜法、光譜法、質譜等方法，大多都需要昂貴的儀器和多種操作步驟，使得許多實際問題仍面臨困難。開發高靈敏度、低成本、小型化的傳感器尤為重要。本文綜述了叉指微電極的研究進展，介紹了基于叉指微電極的傳感器在各領域的廣泛應用。小型真空探針臺鄭科探 KT-Z4019MRL4T是一款性高價比配置的真空高低溫探針臺。高溫400℃ 低-196℃ 測試噪聲小于5E-13A 可擴展上下雙透視窗口用于光電測試可擴展凹視鏡。公司致力于各類探針臺，（包括手動與自動探針臺、雙面探針臺、真空探針臺、）、顯微鏡成像、光電一體化的技術研發，擁有國內專業的技術研發團隊，在探針臺電學量測方面擁有近十年的經驗團隊。微電容單通道叉指電極探針臺微電容單通道叉指電極探針臺KT-Z4019MRL4T真空腔體類型高溫型室溫到400℃高低溫型室溫到400℃ 室溫到-196℃腔體材質304不銹鋼 6061鋁合金可選腔體內尺寸127mmX57mmX20mm腔體外尺寸150mmX80mmX32mm腔體重量不銹鋼材質約1.5KG 鋁合金材質約0.5KG腔體上視窗尺寸Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離）腔體抽氣口KF16法蘭（其余接口規格可轉接）腔體真空測量口KF16法蘭（其余接口規格可轉接）腔體進氣口6mm快擰或 6mm快插腔體冷卻方式腔體水冷+上蓋氣冷腔體水冷接口腔體正壓≤0.05MPa腔體真空度機械泵≤5Pa （5分鐘）分子泵≤5E-3Pa（30分鐘）樣品臺樣品臺材質不銹鋼銀銅合金純銀塊銀銅合金純銀塊樣品臺尺寸26x26mm樣品臺加熱方式電阻加熱電阻加熱液氮制冷樣品臺-視窗距離11mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離到6mm）樣品臺測溫傳感器PT100型熱電阻樣品臺溫度室溫到400℃室溫到400℃ 室溫到-196℃樣品臺測溫誤差±0.5℃樣品臺升溫速率高溫100℃/min 值低溫7℃/min溫控儀溫度顯示7寸人機界面溫控類型標準PID溫控 +自整定溫度分辨率0.1℃溫控精度±0.5℃溫度信號輸入類型PT100 （可選K S B型熱電偶）溫控輸出直流線性電源加熱直流線性電源加熱+液氮流速控制器輔助功能溫度數據采集并導出實時溫度曲線+歷史溫度曲線可擴展真空讀數接口溫控器尺寸32cmX170cmX380cm溫控器重量約5.6KG探針電信號接頭配線轉接 BNC接頭 BNC三同軸接頭 SMA 接頭香蕉插頭線長1.2米電學性能絕緣電阻 ≥4000MΩ 介質耐壓 ≤200V 電流噪聲 ≤10pA探針數量4探針（可擴展5探針）探針材質鍍金鎢針（其他材質可選）探針尖10μm手動探針移動平臺X軸移動行程20mm ±10mm（需手動推動滑臺）X軸控制精度≥500μmR軸移動行程120° ±60°（需手動旋轉探針桿）R軸控制精度≥500μmZ軸移動行程2mm ±1mmZ軸控制精度≤50μm（需手動螺紋調節探針桿）

2023-07-29 15:20:25高低溫探針臺-解釋塞貝克系數測量原理及系數: 塞貝克系數（Seebeck Coefficient）也稱為熱電偶效應或Seebeck效應，是指兩種不同導體（或半導體）材料在一定溫差下產生熱電動勢的現象。塞貝克系數是研究熱電材料（將熱能轉化為電能的材料）非常重要的一個參數，它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。塞貝克系數的測量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。首先準備一個熱電偶，它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個節點保持在恒定的高溫T1，而另一個節點保持在低溫T2（不同于T1），使熱電偶產生熱電動勢（熱電壓）。通過測量恒流狀態下的電壓值V以及溫差ΔT，可以計算出塞貝克系數： S = V / ΔT。另外，還有一些其他的測量方法如閉環法、開路法等，各種方法都有其優缺點，具體選擇哪種方法取決于實際的測試環境和需求。解釋塞貝克系數測量原理。塞貝克系數（也稱為Seebeck系數）是一個描述一個材料熱電效應特性的參數，具體地說，它表示了一個材料中的電流與橫向溫差將產生的電壓之間的關系。測量塞貝克系數的原理主要基于Seebeck效應。Seebeck效應是指在一種導體材料中，當兩個不同導體之間有一個溫差時，將產生一個電壓。測量塞貝克系數的實驗裝置通常包括以下部分：1. 絕熱材料底座：確保測試樣品的溫度穩定。2. 樣品夾持器：保持測試樣品的固定。3. 加熱器：用于在樣品的一端創建溫差，從而在樣品中產生Seebeck電壓。4. 冷卻器：在樣品的另一端保持較低的溫度。5. 熱電偶：用于測量樣品兩端的溫差。6. 電壓測量儀器：用于測量生成的Seebeck電壓。在測量過程中，首先將測試樣品固定在夾持器中，然后通過在樣品的一端加熱和在另一端冷卻來創建穩定的溫差。Seebeck電壓將在樣品兩端形成，然后可以使用電壓測量儀器將其測量出來。計算塞貝克系數所需的公式是： Seebeck系數 = (產生的電壓) / (熱電偶測量的溫差) 通過測量此特定溫差下生成的Seebeck電壓，我們可以計算出材料的塞貝克系數。

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