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2025-01-10 17:04:57視軸穩(wěn)定技術: 視軸穩(wěn)定技術是一種用于確保成像系統(tǒng)或觀測設備視線穩(wěn)定的技術。它通過機械或電子方式補償外部擾動，如震動、風力等，以保持觀測方向或成像視軸的恒定。該技術廣泛應用于軍事瞄準系統(tǒng)、航空攝影、天文觀測、醫(yī)療成像等領域，能顯著提升目標跟蹤、圖像采集的精度和穩(wěn)定性。

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視軸穩(wěn)定技術資訊

西安光機所在精度跟瞄光學系統(tǒng)視軸穩(wěn)定技術上又取得新進展

光學觀瞄系統(tǒng)是一種安裝在航空器上的具有導航、目標搜索、瞄準以及穩(wěn)定跟蹤的光學觀瞄系統(tǒng)，它能滿足于復雜環(huán)境下的各種民事領域的環(huán)境監(jiān)測以及軍事領域的精準打擊等需求。

1955
2023-01-24
跟瞄光學系統(tǒng) 視軸穩(wěn)定技術

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視軸穩(wěn)定技術問答

2024-11-25 15:53:15 火焰光度計如何校準？確保運行穩(wěn)定？: 火焰光度計作為一種重要的實驗室分析儀器，廣泛應用于化學分析、生物醫(yī)學研究、環(huán)境監(jiān)測等領域。它通過火焰的燃燒過程檢測元素的光譜特性，從而實現(xiàn)對鉀、鈉等金屬元素的定量分析。長期使用或操作不當可能導致設備性能下降甚至故障，影響實驗結果的準確性。因此，火焰光度計的維修與維護顯得尤為重要。本文將全面解析火焰光度計常見故障的原因，提供高效的維修方法，并分享延長設備使用壽命的建議，幫助用戶保持儀器的佳性能狀態(tài)。火焰光度計常見故障分析點火失敗點火失敗是火焰光度計常見問題之一，通常由燃氣系統(tǒng)堵塞或電極老化引起。燃氣管道中的殘渣可能阻礙氣體正常流動，導致火焰無法點燃。點火電極的磨損或積碳現(xiàn)象也會降低點火成功率。檢測信號不穩(wěn)定當儀器輸出信號波動較大時，可能是由于光電探測器老化、光路系統(tǒng)污染或者氣流波動造成的。特別是在實驗室環(huán)境中，空氣中的灰塵或油污容易附著在光學部件表面，導致檢測靈敏度降低。測量值偏差明顯如果火焰光度計測得的結果與實際值差距較大，需檢查樣品溶液的濃度、儀器校準狀態(tài)以及燃氣和助燃氣比例是否合理。校準曲線的偏移或噴嘴的磨損也可能是造成誤差的主要原因。高效維修方法清理和更換燃氣管道定期檢查燃氣管道，清除可能存在的堵塞物，并在必要時更換老化的管道配件。確保使用符合儀器要求的高純氣體，以減少雜質的堆積。維護光路系統(tǒng) 光路系統(tǒng)的清潔至關重要。使用無塵布和專業(yè)清潔劑擦拭光學部件，避免劃傷鏡面。定期檢查光電探測器是否需要校準或更換。校準儀器與優(yōu)化設置對儀器進行定期校準是確保數(shù)據(jù)準確性的關鍵。用戶需按照廠商提供的校準方法，選擇合適的標準溶液并嚴格按照操作流程進行。調整火焰的高度和氣體比例，確保燃燒穩(wěn)定。延長火焰光度計使用壽命的建議規(guī)范操作在日常使用中，嚴格按照儀器使用手冊進行操作，避免長時間超負荷運行。定期檢查電源和接地裝置的連接狀態(tài)，確保供電穩(wěn)定。定期保養(yǎng) 制定詳細的保養(yǎng)計劃，包括清理燃燒室、校準光學系統(tǒng)以及更換易耗部件等。通過預防性維護，可以有效減少突發(fā)故障的發(fā)生。選擇優(yōu)質耗材使用高質量的樣品杯、噴嘴和燃氣，可以降低因耗材問題導致的儀器損耗。

2024-11-26 15:58:02原子熒光光度計如何維護？有哪些穩(wěn)定儀器的重要措施？: 原子熒光光度計（Atomic Fluorescence Spectrometer, AFS）是一種用于元素分析的高靈敏度儀器，廣泛應用于環(huán)境監(jiān)測、食品安全、化學分析等領域。由于其精密的工作原理與高度的靈敏度，定期的維護和保養(yǎng)對于延長儀器使用壽命和確保測試結果的準確性至關重要。一、定期清潔和校準原子熒光光度計的工作原理是通過激發(fā)樣品中元素的熒光發(fā)射來檢測其濃度。在實際使用過程中，樣品的灰塵、化學物質以及使用環(huán)境中的雜質都可能對儀器造成污染。定期清潔儀器的各個部件，如燈源、光學系統(tǒng)、進樣系統(tǒng)等，是保持儀器性能的基礎。特別是進樣系統(tǒng)，若長時間不清潔，樣品殘留物會影響其傳輸效率，導致分析結果偏差。光度計的校準也非常重要。每次更換光源或進行大范圍測試時，都應進行標準樣品校準，確保儀器的檢測準確性。通常，可以通過使用標準溶液進行校準，并根據(jù)需要調整儀器參數(shù)，以保證結果的可重復性和準確性。二、定期檢查光源和激發(fā)源光源是原子熒光光度計中的核心組件之一，不同的元素需要不同類型的光源。在使用過程中，光源的亮度和穩(wěn)定性可能會出現(xiàn)衰減或不均勻，這會影響到熒光信號的強度。因此，定期檢查和更換光源是確保儀器性能穩(wěn)定的必要措施。三、保持良好的電氣連接原子熒光光度計的電氣系統(tǒng)是儀器穩(wěn)定運行的基礎。如果電氣連接不良，可能會導致儀器無法正常啟動或工作不穩(wěn)定。定期檢查電源線、接頭和電路板的連接情況，確保所有電氣組件的接觸良好，避免因電氣故障導致儀器停機或出現(xiàn)偏差。四、避免過載與樣品污染原子熒光光度計的檢測精度高度依賴于樣品的純凈度和測量條件。在進行分析時，必須避免樣品中存在過量的干擾元素或污染物。過高的濃度可能會導致儀器過載，影響儀器的靈敏度和線性響應。為了避免樣品對儀器的污染，進樣系統(tǒng)應定期清洗。使用合適的溶劑進行清洗，以去除殘留的化學物質或分析樣品中的雜質。定期檢查進樣管道和泵系統(tǒng)的工作狀態(tài)，確保其正常運行。五、溫濕度控制和環(huán)境管理原子熒光光度計的工作環(huán)境對儀器性能有著不可忽視的影響。溫度和濕度的變化可能會導致儀器內部光學元件的膨脹或收縮，從而影響測試結果的準確性。六、及時記錄和反饋問題在儀器使用過程中，應記錄每次維護、清潔和故障的詳細信息，并反饋給維護人員。這樣不僅能及時發(fā)現(xiàn)潛在問題，還可以為未來的維護提供重要參考。通過建立完善的儀器管理檔案，可以確保儀器長期處于良好的工作狀態(tài)。

2024-11-13 15:24:44柱后衍生系統(tǒng)功能核查如何進行？如何優(yōu)化性能確保系統(tǒng)穩(wěn)定？: 柱后衍生系統(tǒng)是現(xiàn)代化建筑、工程項目中的關鍵技術之一，它涉及到建筑結構的后續(xù)處理及衍生功能的開發(fā)。該系統(tǒng)的作用是對已完成的基礎設施進行功能延伸、提升與優(yōu)化核查的主要內容結構完整性核查柱后衍生系統(tǒng)的核心功能之一是增強原有建筑結構的穩(wěn)定性。因此，在核查過程中，首先需要評估柱后衍生系統(tǒng)對整體建筑結構的影響，包括承載力、抗震性等方面。檢查衍生部分是否對原有結構造成過大負荷，確保系統(tǒng)不會因設計缺陷或施工問題導致建筑結構出現(xiàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象。功能適配性檢查柱后衍生系統(tǒng)的設計往往是為了滿足建筑物在后期使用過程中新增的功能需求。因此，功能適配性檢查是核查的另一個重要內容。這一環(huán)節(jié)需要驗證系統(tǒng)能否有效支持新增的使用需求，如空間利用率的提升、設施擴展以及建筑內外部功能的優(yōu)化等。系統(tǒng)集成與協(xié)調性測試柱后衍生系統(tǒng)常常需要與建筑中的其他系統(tǒng)進行集成與協(xié)同工作，例如電氣系統(tǒng)、給排水系統(tǒng)等。在功能核查過程中，必須確保衍生系統(tǒng)與原有系統(tǒng)之間的協(xié)同工作不會出現(xiàn)沖突或不兼容現(xiàn)象。此項檢查的目的是確保各系統(tǒng)間的無縫對接，避免因接口問題引起的故障或效率下降。安全性評估與風險控制任何系統(tǒng)的應用都必須以安全為前提。柱后衍生系統(tǒng)的功能核查必須對可能存在的安全隱患進行詳細評估，包括電氣安全、結構安全、防火安全等方面。對于建筑設計中的突發(fā)風險，還需要制定應急預案，確保在極端情況發(fā)生時，衍生系統(tǒng)能保持穩(wěn)定的運行。核查流程與標準進行柱后衍生系統(tǒng)功能核查時，首先要制定詳細的核查方案，明確核查的目標、方法與標準。通常，核查流程包括以下幾個步驟：數(shù)據(jù)收集與分析收集與柱后衍生系統(tǒng)相關的設計文件、施工圖紙和設備技術資料。通過對這些資料的分析，了解系統(tǒng)的設計初衷、施工工藝以及預期功能。現(xiàn)場檢查與實地測試核查團隊需對實際現(xiàn)場進行實地檢查，確保施工與設計符合要求。現(xiàn)場測試包括對衍生系統(tǒng)性能的模擬測試，檢測其在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。問題診斷與整改建議如果在核查過程中發(fā)現(xiàn)問題，應進行問題診斷，分析問題原因，并提出切實可行的整改方案。這包括調整設計方案、優(yōu)化施工工藝或更換不合格設備等。評估與報告核查完成后，需要對整個核查過程進行總結，撰寫詳細的核查報告，明確提出存在的隱患與解決方案，確保系統(tǒng)達到設計要求。

2024-12-12 15:49:27ph計維護保養(yǎng)記錄有什么用？如何保障設備長期穩(wěn)定運行？: PH計作為實驗室和工業(yè)應用中廣泛使用的儀器，它主要用于檢測液體的酸堿度。為了確保PH計能夠長時間提供準確的測量結果，定期的維護和保養(yǎng)是不可或缺的。PH計維護的重要性PH計的工作原理雖然相對簡單，但它所涉及的測量精度要求非常高。PH計的核心部件包括電極、傳感器、顯示裝置等，這些部件會因為長時間使用或外部環(huán)境的影響而發(fā)生不同程度的損耗。特別是PH電極，它會隨著使用的次數(shù)增多而出現(xiàn)污染、老化等問題，直接影響測量結果的準確性。因此，制定詳細的PH計維護保養(yǎng)記錄，并定期檢查設備的工作狀態(tài)，是保證設備長期穩(wěn)定運行的基礎。PH計維護的關鍵內容電極的保養(yǎng)與檢查PH計關鍵的部件是電極。電極在使用過程中，容易受到污染或損壞。定期檢查電極的外觀和性能，清洗電極，避免沉積物積累，能夠有效延長電極的使用壽命。在清潔電極時，通常使用PH標準溶液進行校準，避免使用過多的清洗劑或化學物質，以免損壞電極。定期校準校準是保證PH計測量準確性的基本步驟。每次使用之前和使用一段時間后，都應進行一次校準。常見的校準方法是使用已知PH值的標準溶液，調整PH計的讀數(shù)。校準的頻率與PH計的使用頻率和精度要求有關。通常，實驗室或工業(yè)場合應每個月或每季度進行一次校準。檢查連接線和顯示裝置除了電極之外，PH計的連接線、顯示屏等部件同樣需要定期檢查。連接線若出現(xiàn)斷裂或老化，可能會導致PH計無法正常工作。顯示裝置如果出現(xiàn)異常顯示，可能是內部電路或傳感器出現(xiàn)了問題，這時需要及時進行維修或更換。環(huán)境因素的影響PH計的準確性還受到環(huán)境溫度、濕度等因素的影響。在進行PH計使用前，應確保設備周圍的環(huán)境適宜，避免極端溫度或高濕度對設備產生不良影響。PH計使用后，應該及時清理，并妥善存放，避免設備長時間處于潮濕或高溫環(huán)境中。制定PH計維護保養(yǎng)記錄為了確保PH計能夠得到及時和科學的保養(yǎng)，制定詳細的維護保養(yǎng)記錄是非常必要的。維護記錄可以幫助工作人員追蹤設備的使用情況、保養(yǎng)歷史、校準情況等，避免因疏忽而導致設備故障。記錄的存在也便于對設備進行故障分析和性能評估，為今后的維護工作提供數(shù)據(jù)支持。每一份PH計的維護記錄應包括以下內容：設備使用時間和使用頻率每次清潔、校準、電極更換的時間和方式檢查過程中的問題及解決方案設備故障的排查記錄及維修情況

2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術: 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產生二次電子發(fā)射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發(fā)性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。設備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節(jié)氣體流速和/或調節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統(tǒng)中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體。在場的每個循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。