產品特點

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統，脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。激光分子束外延系統（LMBE），是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。

詳細介紹

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統

產品描述：荷蘭TSST公司提供專業的脈沖激光沉積系統和激光分子束外延系統。

荷蘭Twente Solid State Technology BV（TSST）公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統（PLD），以及相關薄膜制備解決方案，公司具有20多年研究與生產脈沖激光沉積系統的經驗。

TSST與世界Z大的納米與微系統技術研究中心之一荷蘭Twente大學MESA+ Institute保持著密切合作，開發出各種脈沖激光沉積技術中需要使用的核心技術。

脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

激光分子束外延系統（LMBE），是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。

在高氧氣壓力環境下實現RHEED原位監控，曾是RHEED分析的一個重要難題，TSST第一個提出差分抽氣的方式實現高壓環境下RHEED原位監控---TorrRHEED，TSST是TorrRHEED的發明人，在系統制造和RHEED的使用，以及結果分析方面，有豐富的經驗。

選件

脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

應用領域： 

單晶薄膜外延（SrTiO3，LaAlO3）

壓電薄膜（PZT，AlN，BiFeO3，BaTiO3）

鐵電薄膜（BaTiO3，KH2PO4）

熱電薄膜（SrTiO3）

金屬和化合物薄膜電極（Ti，Ag，Au，Pt，Ni，Co，SrRuO3，LaNiO3，YZrO2，GdCeO2，LaSrCoFeO3）

半導體薄膜（Zn(Mg)O，AlN，SrTiO3）

高K介質薄膜（HfO2，CeO2，Al2O3，BaTiO3，SrTiO3，PbZrTiO3，LaAlO3，Ta2O5）

超導薄膜（YBa2CuO7-x，BiSrCaCuO）

光波導，光學薄膜（PZT，AlN，BaTiO3，Al2O3，ZrO2，TiO2）

超疏水薄膜（PTFE）

紅外探測薄膜（V2O5，PZT）